基于模拟退火算法的接近式紫外光刻误差修正的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 序言 | 第8-20页 |
| ·微型机电系统 | 第8页 |
| ·MEMS 的工艺基础 | 第8页 |
| ·LIGA 技术和UV-LIGA 技术 | 第8-13页 |
| ·UV-LIGA 的工艺过程 | 第9-11页 |
| ·UV-LIGA 技术的应用 | 第11-13页 |
| ·光刻技术 | 第13-14页 |
| ·光刻分类 | 第13-14页 |
| ·接近式光刻的误差修正 | 第14-17页 |
| ·光学邻近效应 | 第14-15页 |
| ·光学邻近修正方法 | 第15-16页 |
| ·反向光刻技术 | 第16-17页 |
| ·本文完成的主要工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第2章 模拟退火算法理论基础与模型 | 第20-37页 |
| ·模拟退火算法 | 第20-23页 |
| ·基本原理 | 第21-23页 |
| ·模拟退火算法的特点及应用 | 第23页 |
| ·基于模拟退火算法的逆向修正 | 第23-35页 |
| ·理论分析 | 第23-26页 |
| ·光刻模型的建立 | 第26-28页 |
| ·修正实例一 | 第28-33页 |
| ·修正实例二 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第3章 掩模有效影响区域的选取 | 第37-46页 |
| ·掩模平面波前对场点的作用规律 | 第37-42页 |
| ·掩模图形有效波前的分割 | 第37-41页 |
| ·圆孔的半波带分析方法 | 第41-42页 |
| ·理论分析结果与实验验证 | 第42-44页 |
| ·最有效的影响范围 | 第42-43页 |
| ·直角特征的光刻畸变分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第4章 掩模图形的修正 | 第46-54页 |
| ·直角特征图形的修正 | 第46-48页 |
| ·圆弧特征图形的修正 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第5章 总结和展望 | 第54-58页 |
| ·总结 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
