集成电路单元的抗辐射设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·辐射环境、辐射效应及研究意义 | 第9-11页 |
| ·辐射环境 | 第9-10页 |
| ·基本辐射效应 | 第10-11页 |
| ·国内外现状 | 第11-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-14页 |
| ·论文的内容安排 | 第14-15页 |
| 第2章 总剂量辐射效应的基本理论 | 第15-26页 |
| ·氧化物陷阱电荷 | 第15-18页 |
| ·界面陷阱电荷 | 第18-20页 |
| ·总剂量辐射效应对MOS器件造成的影响 | 第20-23页 |
| ·总剂量效应的SPICE模拟 | 第23-25页 |
| ·辐射效应模拟分析的基本方法和内容 | 第23-24页 |
| ·总剂量效应的模型化 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基本单元抗总剂量辐射加固 | 第26-47页 |
| ·CMOS反相器加固前的分析 | 第26-30页 |
| ·CMOS反相器加固后的分析 | 第30-39页 |
| ·NAND和NOR门的加固 | 第39-42页 |
| ·功耗 | 第42-43页 |
| ·速度 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 单粒子效应的基本理论 | 第47-52页 |
| ·单粒子效应 | 第47-48页 |
| ·单粒子翻转产生的机理 | 第48-49页 |
| ·单粒子翻转效应的敏感结点 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 基本单元抗单粒子辐射加固 | 第52-66页 |
| ·单粒子瞬态分析模型 | 第52-53页 |
| ·静态存储单元的抗单粒子翻转的电路设计 | 第53-59页 |
| ·电阻加固方法 | 第53-55页 |
| ·加固设计的双互锁存储单元 | 第55-59页 |
| ·D触发器的抗单粒子翻转的电路设计 | 第59-65页 |
| ·D触发器的单粒子翻转效应 | 第59页 |
| ·使用DICE技术构建的主从结构边沿D触发器 | 第59-60页 |
| ·动态、静态SEU加固设计的主从结构的边沿触发器 | 第60-61页 |
| ·改进型抗动态、静态SEU的D触发器 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
