| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·课题研究背景 | 第9-12页 |
| ·金属-半导体纳米接触的研究现状 | 第12-15页 |
| ·稀土金属硅化物纳米接触的优势 | 第15-18页 |
| ·论文内容简介 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 实验方法和表征手段 | 第24-38页 |
| ·扫描隧道显微镜工作原理 | 第24-27页 |
| ·实验仪器 | 第27-29页 |
| ·实验方法 | 第29-35页 |
| ·导电原子力显微镜 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 硅化铒纳米结构的生长及表征 | 第38-52页 |
| ·ErSi_2纳米结构/Si(001) | 第39-42页 |
| ·退火温度对纳米结构生长的影响 | 第39-40页 |
| ·退火时间对纳米结构生长的影响 | 第40页 |
| ·覆盖度对纳米结构生长的影响 | 第40-42页 |
| ·Si(001)面硅化铒纳米岛 | 第42-45页 |
| ·硅化铒纳米岛及其界面结构 | 第42-44页 |
| ·纳米岛之间的衬底表面结构 | 第44-45页 |
| ·硅化铒纳米结构/Si(111) | 第45-49页 |
| ·Si(111)面硅化饵纳米线的形成 | 第45-47页 |
| ·硅化铒纳米岛的形成 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 硅化铒纳米肖特基接触的电学特性 | 第52-71页 |
| ·实验 | 第52页 |
| ·宏观ErSi_2肖特基接触的I-V特性 | 第52-54页 |
| ·ErSi_2纳米肖特基接触的I-V特性 | 第54-55页 |
| ·ErSi_2纳米肖特基接触的尺寸效应 | 第55-57页 |
| ·电流传输机制的讨论 | 第57-63页 |
| ·热电子发射 | 第57-61页 |
| ·隧穿效应 | 第61-62页 |
| ·镜像力降低效应 | 第62-63页 |
| ·气体表面吸附的影响 | 第63-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 ErSi_2纳米肖特基接触的表面效应 | 第71-94页 |
| ·前言 | 第71-72页 |
| ·实验 | 第72页 |
| ·O_2表面吸附 | 第72-78页 |
| ·O_2表面吸附对Si衬底表面态的修饰 | 第72-74页 |
| ·ErSi_2岛纳米接触I-V特征对O_2吸附的依赖 | 第74-76页 |
| ·O_2吸附导致ErSi_2岛纳米接触I-V特征的非对称变化 | 第76-78页 |
| ·NH_3表面吸附 | 第78-82页 |
| ·ErSi_2岛纳米接触I-V特征对NH_3吸附的依赖 | 第79-80页 |
| ·NH_3吸附导致ErSi_2岛纳米接触I-V特征的非对称变化 | 第80-81页 |
| ·比较NH_3吸附和O_2吸附 | 第81-82页 |
| ·表面效应的物理机制 | 第82-90页 |
| ·Si(001)-2×1表面电子结构与表面电导 | 第82-83页 |
| ·ErSi_2岛纳米接触表面效应的物理机制 | 第83-90页 |
| ·表面效应的消除与ErSi_2岛的"氧化" | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第94页 |
| 参加会议 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
