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基于自适应代理模型的电子装备优化设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-18页
第一章 绪论第18-28页
    1.1 研究背景与意义第18-21页
    1.2 基于代理模型优化的研究内容及现状第21-26页
        1.2.1 代理模型的采样方法第21-22页
        1.2.2 代理模型的近似模型第22-23页
        1.2.3 基于代理模型优化及其应用第23-26页
    1.3 本文主要工作第26-28页
第二章 基于自适应代理模型优化的基本理论第28-52页
    2.1 引言第28页
    2.2 基于自适应代理模型优化框架第28-29页
    2.3 拉丁超立方试验设计第29-30页
    2.4 常用近似模型第30-39页
        2.4.1 多项式响应面第30-31页
        2.4.2 径向基函数第31页
        2.4.3 支持向量回归第31-32页
        2.4.4 Kriging模型第32-39页
    2.5 代理模型精度评估方法与模型选择第39-41页
    2.6 常用的加点准则第41-49页
        2.6.1 最小响应面准则第42-44页
        2.6.2 最大预测均方差准则第44-45页
        2.6.3 最小置信下限准则第45-46页
        2.6.4 最大改善概率准则第46-47页
        2.6.5 最大改善期望准则第47-49页
    2.7 基于自适应代理模型优化的终止条件第49-50页
    2.8 本章小结第50-52页
第三章 基于相关域的两点自适应代理模型方法第52-72页
    3.1 引言第52页
    3.2 TPAM-BCD方法的基本思想第52-53页
    3.3 TPAM-BCD方法的具体内容第53-59页
        3.3.1 基于相关域的局部采样第53-54页
        3.3.2 基于Kriging预测不确定性的全局采样第54-57页
        3.3.3 局部采样中相关域的确定第57-59页
        3.3.4 优化终止条件第59页
    3.4 TPAM-BCD方法的具体实现步骤第59-63页
    3.5 数值算例测试第63-70页
        3.5.1 低维函数测试算例第63-68页
        3.5.2 高维函数测试算例第68-70页
    3.6 本章小结第70-72页
第四章 有昂贵约束的自适应代理模型优化第72-82页
    4.1 引言第72页
    4.2 传统优化算法中常用的约束处理方法第72-74页
    4.3 基于Kriging模型的约束处理方法第74-76页
        4.3.1 概率可行性(PF)第74-75页
        4.3.2 约束改善期望(CEI)第75页
        4.3.3 期望违反(EV)第75-76页
    4.4 约束边界采样方法第76-80页
        4.4.1 约束边界采样(PI)第77-78页
        4.4.2 基于代理约束的目标函数优化(PII)第78页
        4.4.3 具体实现步骤第78-80页
    4.5 数值算例演示第80-81页
    4.6 本章小结第81-82页
第五章 自适应代理模型在电子装备优化设计中的应用第82-92页
    5.1 引言第82-83页
    5.2 反射面天线设计第83-87页
        5.2.1 反射面天线机电耦合优化设计第84-85页
        5.2.2 结果分析第85-87页
    5.3 金属桁架式天线罩设计第87-90页
        5.3.1 天线罩机电集成优化设计第87-89页
        5.3.2 结果分析第89-90页
    5.4 本章小结第90-92页
第六章 总结与展望第92-94页
    6.1 总结第92页
    6.2 展望第92-94页
附录第94-98页
    附录A 测试函数第94-96页
    附录B 箱线图第96-98页
参考文献第98-104页
致谢第104-106页
作者简介第106-107页

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