| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-23页 |
| 1.1 ZnO 材料的结构和性质 | 第9-15页 |
| 1.1.1 ZnO 的晶体结构 | 第9-13页 |
| 1.1.2 ZnO 的压电性质 | 第13页 |
| 1.1.3 ZnO 的光学性质 | 第13-15页 |
| 1.1.4 ZnO 的光催化性质 | 第15页 |
| 1.2 ZnO 纳米材料和器件的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.3 本文的主要内容 | 第22-23页 |
| 2 ZnO 纳米材料的制备方法和表征手段 | 第23-29页 |
| 2.1 ZnO 纳米材料的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第23-24页 |
| 2.1.2 溶胶—凝胶法 | 第24页 |
| 2.1.3 水热法 | 第24-25页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积 | 第25页 |
| 2.1.5 分子束外延 | 第25页 |
| 2.2 相关表征手段 | 第25-29页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.2 X 射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.2.3 光致发光谱(PL) | 第27-28页 |
| 2.2.4 电致发光(EL) | 第28-29页 |
| 3 外加电场对 ZnO 材料的形貌和光学特性的影响 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 样品的制备 | 第29-31页 |
| 3.3 样品的表面形貌 | 第31-32页 |
| 3.4 样品的结构特性 | 第32-33页 |
| 3.5 样品的光学性质 | 第33-36页 |
| 3.6 小结 | 第36-37页 |
| 4 外加电场下 p-ZnO/n-ZnO 纳米线同质结 LED 的制备和性能研究 | 第37-44页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 ZnO 基同质结 LED 的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.1 p-ZnO 纳米线和 n-ZnO 纳米线的制备 | 第37页 |
| 4.2.2 发光器件的制备 | 第37-38页 |
| 4.3 样品的表面形貌 | 第38-39页 |
| 4.4 样品的光学性质 | 第39-40页 |
| 4.5 器件的 I-V 特性 | 第40-41页 |
| 4.6 器件的电致发光 | 第41-42页 |
| 4.7 小结 | 第42-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
