| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 CMOS 图像传感器发展及其优势 | 第9-12页 |
| 1.2 TDI 型图像传感器发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 像素性能提高方法研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 像素电荷转移优化方法研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 像素暗电流性能提高方法研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 选题意义及内容安排 | 第17-18页 |
| 1.4.1 本文选题意义 | 第17页 |
| 1.4.2 本文结构 | 第17-18页 |
| 1.5 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 TDI 型 CMOS 图像传感器像素设计简介 | 第19-31页 |
| 2.1 TDI 型 CMOS 图像传感器工作原理 | 第19-22页 |
| 2.2 4T 像素的工作原理 | 第22-26页 |
| 2.2.1 4T 像素结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 像素光电转换及电荷的吸收 | 第23-26页 |
| 2.2.3 像素工作时序 | 第26页 |
| 2.3 CIS 的关键性能参数 | 第26-30页 |
| 2.3.1 量子效率 | 第27页 |
| 2.3.2 灵敏度 | 第27-28页 |
| 2.3.3 满阱容量 | 第28页 |
| 2.3.4 图像拖尾 | 第28页 |
| 2.3.5 暗电流 | 第28-29页 |
| 2.3.6 动态范围 | 第29页 |
| 2.3.7 信噪比 | 第29-30页 |
| 2.4 TDI 型 CMOS 图像传感器像素的设计关键和设计难点 | 第30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 大尺寸像素电荷转移优化设计 | 第31-49页 |
| 3.1 大尺寸像素电荷转移原理 | 第31-34页 |
| 3.1.1 大尺寸像素电荷转移的 RC 模型分析 | 第31-33页 |
| 3.1.2 传统大尺寸像素的电荷转移 | 第33-34页 |
| 3.2 N 埋层结构优化方法 | 第34-41页 |
| 3.2.1 N 埋层非均匀掺杂优化方法 | 第34-36页 |
| 3.2.2 PPD 版图优化方法 | 第36-38页 |
| 3.2.3 组合工艺和版图两方面优化方案 | 第38-41页 |
| 3.3 传输栅结构优化方法 | 第41-48页 |
| 3.3.1 传输栅处电势优化 | 第41-44页 |
| 3.3.2 结构优化仿真与对比 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 钳位四管像素暗电流优化设计 | 第49-70页 |
| 4.1 暗电流产生机制 | 第49-54页 |
| 4.1.1 耗尽区产生电流 | 第49-51页 |
| 4.1.2 中性区产生电流 | 第51-52页 |
| 4.1.3 像素暗电流产生位置 | 第52-54页 |
| 4.2 STI 处暗电流设计优化 | 第54-63页 |
| 4.2.1 STI 处暗电流的优化设计方案 | 第54-58页 |
| 4.2.2 优化方案的数据分析 | 第58-63页 |
| 4.3 表面 P 型注入层处暗电流设计优化 | 第63-69页 |
| 4.3.1 传输沟道 P 型注入处暗电流的设计优化 | 第63-68页 |
| 4.3.2 表面钳位层 P 型注入处暗电流的设计优化 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 总结 | 第70页 |
| 5.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
