| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第10-12页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义 | 第10-11页 |
| 1.2.2 气敏传感器的分类 | 第11页 |
| 1.2.3 半导体气敏传感器 | 第11-12页 |
| 1.3 多孔硅气敏传感器 | 第12-14页 |
| 1.3.1 多孔硅简介 | 第12-14页 |
| 1.3.2 多孔硅气敏传感器的研究进展 | 第14页 |
| 1.4 多孔硅基氧化钨气敏传感器 | 第14-16页 |
| 1.4.1 氧化钨简介 | 第14-15页 |
| 1.4.2 多孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 本文研究目标及研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 理论知识与实验过程 | 第17-31页 |
| 2.1 多孔硅的制备方法和气敏机理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 多孔硅的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.1.2 多孔硅的气敏机理 | 第20-21页 |
| 2.2 氧化钨薄膜的制备方法和气敏机理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 氧化钨薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.2.2 氧化钨薄膜的气敏机理 | 第23-24页 |
| 2.3 微观结构和理化特性分析测试手段 | 第24-27页 |
| 2.3.1 X 射线衍射(XRD)分析技术 | 第25页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM)分析技术 | 第25页 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析技术 | 第25-26页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)分析技术 | 第26页 |
| 2.3.5 拉曼光谱(Raman)分析技术 | 第26-27页 |
| 2.4 气敏传感器主要性能参数的分析测试 | 第27-31页 |
| 第三章 中孔硅气敏传感器元件制备及敏感性能研究 | 第31-51页 |
| 3.1 中孔硅气敏传感器元件的制备流程 | 第31-34页 |
| 3.1.1 硅片清洗 | 第31-32页 |
| 3.1.2 双槽电化学腐蚀法制备中孔硅 | 第32-33页 |
| 3.1.3 中孔硅表面制备点接触电极 | 第33-34页 |
| 3.2 中孔硅微观形貌结构及理化特性表征 | 第34-40页 |
| 3.2.1 微观形貌结构分析 | 第34-37页 |
| 3.2.2 孔隙率及层厚度测量分析 | 第37-39页 |
| 3.2.3 傅里叶变换红外光谱分析 | 第39-40页 |
| 3.3 中孔硅气敏传感器元件敏感性能研究 | 第40-50页 |
| 3.3.1 中孔硅对NH_3气体的敏感性能研究 | 第41-44页 |
| 3.3.2 中孔硅对NH_3气体的敏感机理研究 | 第44-45页 |
| 3.3.3 中孔硅对NO_2气体的敏感性能研究 | 第45-49页 |
| 3.3.4 中孔硅对NO_2气体的敏感机理研究 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 中孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器元件敏感性能研究 | 第51-63页 |
| 4.1 中孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器元件的制备流程 | 第51-52页 |
| 4.1.1 氧化钨薄膜的制备 | 第51-52页 |
| 4.1.2 热处理工艺 | 第52页 |
| 4.2 氧化钨薄膜表面形貌、晶体结构、物相组成和化学状态分析 | 第52-56页 |
| 4.2.1 SEM 表面形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.2.2 XRD晶体结构分析 | 第53-54页 |
| 4.2.3 Raman 物相组成分析 | 第54-55页 |
| 4.2.4 XPS 表面化学状态分析 | 第55-56页 |
| 4.3 中孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器元件对 NO_2气体的敏感性能研究 | 第56-60页 |
| 4.3.1 NO_2敏感性能研究 | 第56-58页 |
| 4.3.2 中孔硅基氧化钨薄膜气敏选择性研究 | 第58-59页 |
| 4.3.3 中孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器元件性能稳定性研究 | 第59-60页 |
| 4.4 中孔硅基氧化钨薄膜气敏机理分析 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结与讨论 | 第63-64页 |
| 5.2 工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
