| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 引言 | 第5-7页 |
| 第一章 化学机械研磨简介 | 第7-19页 |
| 第一节 化学机械研磨工艺简介 | 第7-12页 |
| 第二节 化学机械研磨后的清洗技术简介 | 第12-15页 |
| 第三节 MIRRA MESA机台结构及工作流程简介 | 第15-18页 |
| 第四节 主要实验工具 | 第18-19页 |
| 第二章 CMP后晶片存在的缺陷及现状 | 第19-26页 |
| 第一节 CMP后晶片存在缺陷的主要种类以及预防 | 第19-22页 |
| 第二节 CMP后晶片存在的表面污染物颗粒缺陷 | 第22-24页 |
| 第三节 本论文研究的意义、主要内容及章节安排 | 第24-26页 |
| 第三章 IMD CMP后晶片表面污染物颗粒成因分析及优化实验设计 | 第26-42页 |
| 第一节 IMD CMP后晶片存在表面污染物颗粒成因分析 | 第26-27页 |
| 第二节 IMD CMP后晶片表面的污染物颗粒 | 第27-28页 |
| 第三节 IMD CMP后减少表面污染物颗粒的优化试验设计 | 第28-38页 |
| 第四节 优化方案与原方案生产的晶片缺陷对比 | 第38-40页 |
| 第五节 优化方案与原方案生产的晶片良率对比 | 第40-42页 |
| 第四章 VIA WCMP后晶片表面污染物颗粒成因分析及优化实验设计 | 第42-56页 |
| 第一节 VIA WCMP后晶片表面污染物颗粒成因分析 | 第42-43页 |
| 第二节 WCMP后减少含金属钨的表面污染物颗粒的优化试验设计 | 第43-54页 |
| 第三节 优化方案与原方案生产的晶片缺陷对比 | 第54-55页 |
| 第四节 优化方案与原方案生产的晶片良率对比 | 第55-56页 |
| 第五章 结论和展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
