| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 前言 | 第13-17页 |
| 第2章 文献综述—ZnO(MgZnO,CdZnO)薄膜及其随机激射的研究现状 | 第17-47页 |
| §2.1 引言 | 第17页 |
| §2.2 ZnO的基本性质 | 第17-21页 |
| ·晶体结构和能带结构 | 第18-20页 |
| ·电学性能 | 第20页 |
| ·光学性能 | 第20-21页 |
| §2.3 随机激射的研究进展 | 第21-26页 |
| ·随机激射的特性 | 第21-24页 |
| ·随机激射的机理 | 第24-26页 |
| §2.4 ZnO随机激射器件的研究进展 | 第26-34页 |
| ·光抽运ZnO随机激射 | 第26-29页 |
| ·电抽运ZnO随机激射 | 第29-34页 |
| §2.5 MgZnO合金材料及其随机激射器件 | 第34-39页 |
| ·MgZnO合金材料 | 第34-37页 |
| ·MgZnO合金随机激射器件 | 第37-39页 |
| §2.6 CdZnO合金材料及其随机激射器件 | 第39-45页 |
| ·CdZnO合金材料 | 第40-44页 |
| ·CdZnO合金随机激射器件 | 第44-45页 |
| §2.7 小结 | 第45-47页 |
| 第3章 材料和器件的制备方法及表征 | 第47-51页 |
| §3.1 材料、器件制备设备 | 第47页 |
| ·磁控溅射设备 | 第47页 |
| ·旋涂设备 | 第47页 |
| ·热处理设备 | 第47页 |
| §3.2 材料、器件制备工艺 | 第47-49页 |
| ·薄膜制备 | 第47-48页 |
| ·绝缘层制备 | 第48-49页 |
| ·电极制备 | 第49页 |
| §3.3 材料、器件测试设备 | 第49-51页 |
| ·晶体结构、形貌与组成的表征仪器 | 第49页 |
| ·光学性能测试设备 | 第49-50页 |
| ·电学性能测试设备 | 第50-51页 |
| 第4章 波长可调的硅基Mg_xZn_(1-x)O薄膜的紫外电抽运随机激射 | 第51-63页 |
| §4.1 引言 | 第51-52页 |
| §4.2 Au/SiO_2/Mg_xZn_(1-x)O MIS结构器件的制备 | 第52页 |
| §4.3 不同Mg组分的Mg_xZn(4-x)O薄膜的表征 | 第52-56页 |
| ·低Mg组分的Mg_xZn_(1-x)O薄膜 | 第52-55页 |
| ·高Mg组分的Mg_xZn_(1-x)O薄膜 | 第55-56页 |
| §4.4 基于Mg_xZn_(1-x)O薄膜的MIS器件的电抽运随机激射 | 第56-60页 |
| ·基于低Mg组分的Mg_xZn_(1-x)O薄膜的MIS器件 | 第56-59页 |
| ·基于高Mg组分的Mg_xZn_(1-x)O薄膜的MIS器件 | 第59-60页 |
| §4.5 载流子输运特性及电抽运随机激射的机理 | 第60-61页 |
| §4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 源于ZnO-CdO互扩散薄膜的紫外及可见并存的电抽运随机激射 | 第63-75页 |
| §5.1 引言 | 第63-64页 |
| §5.2 Si0_2/ZnO-CdO/Si0_2双势垒结构器件的制备 | 第64页 |
| §5.3 ZnO-CdO互扩散薄膜的表征 | 第64-68页 |
| §5.4 硅基SiO_2/ZnO-CdO/SiO_2双势垒结构器件的电抽运随机激射 | 第68-72页 |
| §5.5 载流子输运特性及电抽运随机激射的机理 | 第72-73页 |
| §5.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第6章 波长可调的硅基CdZnO薄膜的可见电抽运随机激射 | 第75-89页 |
| §6.1 引言 | 第75-76页 |
| §6.2 Au/SiO_2/CdZnO MIS结构器件的制备 | 第76页 |
| §6.3 经不同温度RTP热处理的CdZnO薄膜的表征 | 第76-81页 |
| §6.4 基于CdZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射 | 第81-85页 |
| §6.5 载流子输运特性及电抽运随机激射的机理 | 第85-87页 |
| §6.6 本章小结 | 第87-89页 |
| 第7章 硅基ZnO薄膜的电抽运随机激射:光增益和光散射之间的补偿关系 | 第89-99页 |
| §7.1 引言 | 第89-90页 |
| §7.2 Mg_xZn_(1-x)O/ZnO(x=0.25或1)异质结器件的制备 | 第90页 |
| §7.3 溶胶法、溅射法制备的ZnO薄膜的表征 | 第90-93页 |
| §7.4 Mg_xZn_(1-x)O/ZnO(x=0.25或1)异质结器件的电致发光 | 第93-95页 |
| §7.5 器件的电致发光机理及随机激射下光增益和光散射之间的补偿关系 | 第95-97页 |
| §7.6 本章小结 | 第97-99页 |
| 第8章 硅基双层MgZnO薄膜异质结的电抽运随机激射 | 第99-111页 |
| §8.1 引言 | 第99-100页 |
| §8.2 硅基双层MgZnO薄膜异质结的制备 | 第100页 |
| §8.3 MgZnO薄膜及异质结的表征 | 第100-104页 |
| §8.4 硅基双层MgZnO薄膜异质结的电致发光 | 第104-107页 |
| §8.5 载流子输运特性及电致发光机理 | 第107-109页 |
| §8.6 本章小结 | 第109-111页 |
| 第9章 经不同温度热处理的ZnO薄膜的光抽运和电抽运随机激射 | 第111-121页 |
| §9.1 引言 | 第111-112页 |
| §9.2 用于光抽运和电抽运随机激射的ZnO样品的制备 | 第112页 |
| §9.3 经高、低温热处理的ZnO薄膜的表征 | 第112-115页 |
| §9.4 经高、低温热处理的ZnO薄膜的光抽运随机激射 | 第115页 |
| §9.5 基于高、低温热处理的ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射 | 第115-118页 |
| §9.6 产生光抽运和电抽运随机激射的阈值上的差异分析 | 第118-119页 |
| §9.7 本章小结 | 第119-121页 |
| 第10章 总结 | 第121-125页 |
| 参考文献 | 第125-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 个人简历 | 第141-143页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第143-144页 |
