| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1Ga N概论 | 第15-16页 |
| 1.2 Al Ga N/Ga N HEMT概况 | 第16-18页 |
| 1.2.1 Al Ga N/Ga N HEMT器件的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 氟等离子体处理的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.3 轻掺杂漏Al Ga N/Ga N HEMT优点 | 第18页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 器件仿真工具及基本模型 | 第21-33页 |
| 2.1 Silvaco TCAD仿真软件的介绍 | 第21-22页 |
| 2.2 主要组件 | 第22-24页 |
| 2.3 基本材料参数的设置 | 第24-25页 |
| 2.3.1 禁带宽度 | 第24-25页 |
| 2.3.2 介电常数 | 第25页 |
| 2.3.3 载流子有效质量 | 第25页 |
| 2.4ATLAS中的物理模型 | 第25-28页 |
| 2.4.1 迁移率模型 | 第25-27页 |
| 2.4.2 载流子产生-复合模型 | 第27页 |
| 2.4.3 Selberherr(局部电场)碰撞电离模型 | 第27-28页 |
| 2.5 轻掺杂漏HEMT仿真结果 | 第28-31页 |
| 2.5.1 器件仿真结构图及基本直流特性 | 第28-30页 |
| 2.5.2 注入剂量及长度改变对轻掺杂漏Al Ga N/Ga N HEMT电场分布影响 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 轻掺杂漏Al Ga N/Ga N HEMT器件制备 | 第33-43页 |
| 3.1 轻掺杂漏Al Ga N/Ga N HEMT器件制造工艺及流程 | 第33-38页 |
| 3.2 氟等离子体处理对Al Ga N/Ga N HEMT器件的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.1 氟等离子体在Al Ga N/Ga N HEMT中的分布及对能带的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.2 氟等离子体处理对Al Ga N/Ga N HEMT器件阈值电压的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.3 氟处理形成的轻掺杂漏结构对Al Ga N/Ga N HEMT器件的影响 | 第41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 轻掺杂漏注入剂量对器件特性的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 器件仿真 | 第43-44页 |
| 4.2 实验设计 | 第44-45页 |
| 4.3 轻掺杂漏注入功率对器件特性的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.1 轻掺杂漏注入功率对器件转移特性的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.2 轻掺杂漏注入功率对器件击穿特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 轻掺杂漏注入时间对器件特性的影响 | 第48-51页 |
| 4.4.1 轻掺杂漏注入时间对器件转移特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.4.2 轻掺杂漏注入时间对器件击穿特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 轻掺杂漏长度对器件特性的影响 | 第53-67页 |
| 5.1 器件仿真模拟 | 第53-54页 |
| 5.2 实验设计 | 第54页 |
| 5.3 轻掺杂漏长度对器件电流特性的影响 | 第54-56页 |
| 5.4 轻掺杂漏长度对器件转移特性的影响 | 第56-59页 |
| 5.5 轻掺杂漏长度对器件肖特基特性影响 | 第59页 |
| 5.6 轻掺杂漏长度对器件击穿特性影响 | 第59-63页 |
| 5.7 退火前后器件特性对比 | 第63-64页 |
| 5.7.1 退火前后器件肖特基反向泄漏电流对比 | 第63-64页 |
| 5.7.2 退火前后器件击穿特性对比 | 第64页 |
| 5.8 本章小结 | 第64-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
