| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 选题依据和研究价值 | 第16-17页 |
| 1.2 低温技术的国内外发展现状 | 第17页 |
| 1.3 本文主要内容和结论 | 第17-20页 |
| 第二章 功率VDMOS器件结构介绍 | 第20-30页 |
| 2.1 功率VDMOS器件结构 | 第20-21页 |
| 2.2 功率VDMOS器件的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.3 功率VDMOS器件基本电学参数 | 第23-27页 |
| 2.4 ISE-TCAD仿真功率VDMOS器件 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 功率VDMOS器件的低温特性 | 第30-58页 |
| 3.1 材料的低温特性 | 第30-35页 |
| 3.1.1 迁移率μ | 第30-34页 |
| 3.1.2 禁带宽度E_g和本征载流子浓度n_i | 第34-35页 |
| 3.2 功率VDMOS器件的阈值电压V_(th) | 第35-42页 |
| 3.3 功率VDMOS器件的击穿电压V_B | 第42-46页 |
| 3.4 功率VDMOS器件的导通电阻R_(on) | 第46-50页 |
| 3.5 功率VDMOS器件的转移特性曲线和输出特性曲线 | 第50-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 双极型晶体管的低温特性分析 | 第58-68页 |
| 4.1 双极型晶体管结构和原理 | 第58-60页 |
| 4.2 实验器件和实验方法介绍 | 第60-61页 |
| 4.3 双极型晶体管低温特性 | 第61-67页 |
| 4.3.1 双极型晶体管电流增益h_(FE)低温衰减 | 第61-65页 |
| 4.3.2 低温下双极型晶体管击穿特性分析 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |