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瞬态脉冲干扰下微处理器I/O保护电路改进方法研究

摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
第一章 绪论第12-21页
   ·研究的背景及意义第12-15页
   ·国内外研究现状第15-19页
   ·论文的主要研究内容与章节编排第19-21页
第二章 微处理器I/O保护电路设计分析第21-33页
   ·引言第21-22页
   ·微处理器I/O保护电路结构分析第22-28页
     ·钳位二极管微处理器I/O保护电路第24-25页
     ·具有电源钳位的微处理器I/O保护电路第25-27页
     ·采用Boost总线的微处理器I/O保护电路结构第27-28页
   ·一种微处理器I/O保护关键电路结构分析第28-32页
     ·Trigger设计策略和重要参数第28页
     ·常见的Trigger电路结构第28-30页
     ·具有转换速率检测的Trigger电路第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 瞬态脉冲干扰下微处理器性能测试第33-48页
   ·引言第33-34页
   ·ESD测试方法分析第34-39页
     ·系统级ESD测试方法第34-35页
     ·芯片级ESD测试方法第35-37页
     ·芯片级上电ESD测试方法第37-38页
     ·ESD测试脉冲参数比较第38-39页
   ·芯片级上电ESD测试失效模式分析第39-43页
     ·微处理器重启第39页
     ·微处理器上电恢复第39-40页
     ·微处理器损坏第40-43页
   ·上电微处理器的ESD性能测试平台设计与实现第43-47页
     ·PESD测试环境的设置第43-44页
     ·PESD测试硬件设计与实现第44-46页
     ·PESD测试软件设计与实现第46-47页
   ·本章小结第47-48页
第四章 微处理器I/O保护电路改进与评估第48-67页
   ·引言第48-49页
   ·微处理器I/O保护电路PESD测试结果分析第49-52页
     ·断电的PESD测试结果分析第49-50页
     ·正常的PESD测试结果分析第50-51页
     ·对比分析与结论第51-52页
   ·微处理器I/O保护电路中寄生闩锁效应研究第52-57页
     ·微处理器I/O保护电路中的闩锁效应第53-55页
     ·闩锁效应产生原理第55-57页
   ·增大敏感器件距离来改进ESD性能第57-60页
     ·微处理器损坏位置分析第57-59页
     ·改进方法研究与效果评估第59-60页
   ·增加必要的保护环来改进ESD性能第60-65页
     ·微处理器测试结果和版图分析第61-63页
     ·改进方法研究与效果评估第63-65页
   ·本章小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-69页
   ·研究工作回顾第67-68页
   ·本文的不足与展望第68-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-76页
作者在学期间取得的学术成果第76页

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