基于POS声表面波器件制造技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·声表面波器件的研究进展 | 第10-11页 |
| ·声表面波器件的应用 | 第11-14页 |
| ·课题研究的目的及研究内容 | 第14-16页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| ·技术路线及实验工艺流程 | 第15-16页 |
| ·本文章节安排 | 第16-17页 |
| 2 声表面波器件的工作原理和设计方法 | 第17-26页 |
| ·声表面波基本概念 | 第17-18页 |
| ·声表面波器件工作原理 | 第18-23页 |
| ·叉指换能器的工作原理 | 第19-22页 |
| ·叉指换能器等效电路 | 第22-23页 |
| ·声表面波器件加工工艺 | 第23-25页 |
| ·声表面波器件的特性 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 铌酸锂晶片与单晶硅的键合技术 | 第26-45页 |
| ·实验材料介绍 | 第26-27页 |
| ·铌酸锂晶片的结构与功能 | 第26页 |
| ·硅片的结构与功能 | 第26-27页 |
| ·键合技术 | 第27-30页 |
| ·键合技术的分类及原理 | 第27-29页 |
| ·键合界面特性 | 第29-30页 |
| ·铌酸锂晶片与单晶硅的BCB键合技术 | 第30-36页 |
| ·BCB材料的特性 | 第30-31页 |
| ·工艺实验 | 第31-34页 |
| ·测试及其结果 | 第34-36页 |
| ·铌酸锂晶片与单晶硅的PI键合技术 | 第36-39页 |
| ·PI材料特性 | 第36页 |
| ·工艺实验 | 第36-37页 |
| ·测试及其结果 | 第37-39页 |
| ·铌酸锂晶片与单晶硅的阳极键合技术 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 4 铌酸锂晶片的减薄与抛光技术研究 | 第45-58页 |
| ·铌酸锂晶片减薄技术 | 第45-47页 |
| ·铌酸锂晶片抛光技术 | 第47-49页 |
| ·实验方案 | 第49-54页 |
| ·铌酸锂晶片的切割 | 第50-51页 |
| ·铌酸锂晶片的减薄 | 第51-52页 |
| ·铌酸锂晶片的抛光 | 第52-54页 |
| ·实验结果与分析 | 第54-57页 |
| ·工艺参数对LN表面质量的影响 | 第54-55页 |
| ·LN厚度测试 | 第55-56页 |
| ·LN表面质量测试 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 5 基于POS基片的声表面波器件制作及测试 | 第58-64页 |
| ·声表面波器件的叉指换能器的设计 | 第58-59页 |
| ·叉指换能器(IDT)的结构参数 | 第58-59页 |
| ·声表面波延迟器的整体结构及参数 | 第59页 |
| ·基于POS基片的声表面波器件制作 | 第59-61页 |
| ·器件性能的测试与对比 | 第61-63页 |
| ·网络分析仪校正 | 第61-62页 |
| ·测试结果及分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 6 总结与展望 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
