| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·红外探测的发展 | 第10-11页 |
| ·红外探测的基本原理 | 第11-12页 |
| ·用于微测辐射热计的红外敏感薄膜 | 第12-13页 |
| ·非晶硅薄膜的特点及掺杂 | 第13-15页 |
| ·非晶硅薄膜的特点 | 第13-14页 |
| ·非晶硅薄膜掺杂的导电理论 | 第14页 |
| ·非晶硅薄膜的掺杂 | 第14-15页 |
| ·本试验室前期的研究进展 | 第15页 |
| ·本课题的研究内容、研究方法以及研究方案流程图 | 第15-17页 |
| ·该课题的研究内容 | 第15-16页 |
| ·该课题的研究方法 | 第16页 |
| ·本课题研究的试验和测试流程图 | 第16-17页 |
| 2 非晶硅薄膜的制备方法,掺杂方式及性能研究方法 | 第17-24页 |
| ·非晶硅薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·电子束热蒸发法 | 第17页 |
| ·光化学气相沉积法 | 第17页 |
| ·射频溅射法 | 第17-18页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第18页 |
| ·微波等离子体电子回旋共振化学气相沉积(MWECR-CVD) | 第18页 |
| ·非晶硅薄膜掺杂方式的选择 | 第18-19页 |
| ·非晶硅薄膜的气相掺杂 | 第18-19页 |
| ·非晶硅薄膜的离子注入掺杂 | 第19页 |
| ·非晶硅薄膜性质的表征方法 | 第19-24页 |
| ·椭偏仪测试对薄膜厚度和折射率表征 | 第19-20页 |
| ·X射线衍射(XRD)对薄膜非晶态表征 | 第20页 |
| ·傅立叶红外光谱表征 | 第20-21页 |
| ·四探针薄膜电阻测试对薄膜电阻表征 | 第21-22页 |
| ·霍耳效应测试电学性质表征 | 第22页 |
| ·非晶硅薄膜的电阻温度系数表征 | 第22-24页 |
| 3 等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备非晶硅薄膜 | 第24-35页 |
| ·PECVD沉积非晶硅薄膜的机理 | 第24-28页 |
| ·辉光放电 | 第24-25页 |
| ·PECVD薄膜沉积系统 | 第25-26页 |
| ·化学反应和薄膜沉积 | 第26-28页 |
| ·PECVD沉积非晶硅薄膜实验及椭偏测试 | 第28-29页 |
| ·气体源与薄膜衬底 | 第28页 |
| ·非晶硅薄膜的制备参数 | 第28-29页 |
| ·非晶硅薄膜沉积实验过程 | 第29页 |
| ·非晶硅薄膜的椭偏测试 | 第29-34页 |
| ·非晶硅薄膜的椭偏仪测试实验 | 第29页 |
| ·椭偏仪测试结果和分析 | 第29-34页 |
| ·本章内容小结 | 第34-35页 |
| 4 非晶硅薄膜的离子注入掺杂 | 第35-51页 |
| ·离子注入技术 | 第35-38页 |
| ·离子注入掺杂的原理和技术 | 第35-36页 |
| ·MEVVA源离子注入设备 | 第36-37页 |
| ·离子注入掺杂非晶硅薄膜的实验过程 | 第37-38页 |
| ·热处理试验 | 第38页 |
| ·钛离子注入对非晶硅薄膜进行掺杂 | 第38-44页 |
| ·钛离子注入试验参数 | 第38-39页 |
| ·XRD测试 | 第39-40页 |
| ·红外光谱测试 | 第40-41页 |
| ·方块电阻测试 | 第41-42页 |
| ·霍尔效应测试 | 第42-43页 |
| ·电阻温度系数分析 | 第43-44页 |
| ·镍离子注入对非晶硅薄膜进行掺杂 | 第44-47页 |
| ·镍离子注入试验参数 | 第44-45页 |
| ·XRD测试 | 第45-46页 |
| ·方块电阻测试 | 第46-47页 |
| ·电阻温度系数分析 | 第47页 |
| ·钇离子注入对非晶硅薄膜进行掺杂 | 第47-50页 |
| ·钇离子注入试验参数 | 第47-48页 |
| ·XRD测试 | 第48页 |
| ·方块电阻测试 | 第48-49页 |
| ·电阻温度系数分析 | 第49-50页 |
| ·本章内容小结 | 第50-51页 |
| 5 结论 | 第51-54页 |
| ·本文结论 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |