GaAs高频大功率场效应晶体管设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1-1 引言 | 第9-10页 |
| 1-1-1 GaAs 材料特性 | 第9-10页 |
| 1-1-2 GaAs 器件的主要优点 | 第10页 |
| 1-2 管芯常用工艺介绍 | 第10-11页 |
| 1-3 国内外相关领域的发展现状 | 第11-13页 |
| 第二章 PHEMT 相关理论 | 第13-23页 |
| 2-1 PHEMT 的结构 | 第13-14页 |
| 2-2 PHEMT 的工作原理 | 第14-15页 |
| 2-3 PHEMT 的I-V 特性推导 | 第15-18页 |
| 2-4 PHEMT 大信号模型 | 第18-23页 |
| 2-4-1 基于测量的等效电路模型 | 第18-21页 |
| 2-4-2 基于物理特性的等效电路模型 | 第21-23页 |
| 第三章 无源元件建模 | 第23-29页 |
| 3-1 金丝模型 | 第23-25页 |
| 3-2 MIM 电容模型 | 第25-27页 |
| 3-3 管壳封装模型 | 第27-29页 |
| 第四章 内匹配器件设计 | 第29-39页 |
| 4-1 内匹配技术概述 | 第29-30页 |
| 4-2 单包原理及设计 | 第30-33页 |
| 4-2-1 常用的λ/4 变换线 | 第30页 |
| 4-2-2 λ/8 变换线 | 第30-31页 |
| 4-2-3 复合变换线和不定长度匹配 | 第31页 |
| 4-2-4 微带线的弯角修正 | 第31-32页 |
| 4-2-5 渐变线变换及设计 | 第32-33页 |
| 4-3 双胞原理及设计 | 第33-35页 |
| 4-4 大信号模型应用 | 第35-36页 |
| 4-5 内匹配功率管的测试 | 第36-39页 |
| 第五章 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 攻读学位期间所取取的相关科研成果 | 第44页 |
