| ABSTRACT | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪言 | 第10-13页 |
| ·高压集成电路与高压MOSFET | 第10-11页 |
| ·高压MOSFET模型在国内外的发展现况 | 第11-12页 |
| ·课题的意义和目的 | 第12-13页 |
| 第二章 高压MOSFET的基本结构与原理 | 第13-20页 |
| ·MOSFET的基本结构与工作原理 | 第13-14页 |
| ·与常规CMOS工艺相兼容的高压MOSFET原理 | 第14-20页 |
| ·常见几种与常规CMOS工艺相兼容的高压MOSFET结构 | 第14-16页 |
| ·Double Diffused Drain高压MOSFET基本结构与版图 | 第16-18页 |
| ·Double Diffused Drain高压MOSFET的工艺与制造 | 第18-20页 |
| 第三章 SPICE仿真软件与BSIM3模型 | 第20-28页 |
| ·EDA仿真软件SPICE与BSIM3模型的基本概念 | 第20-21页 |
| ·SPICE软件的结构 | 第21-23页 |
| ·SPICE BSIM3 MOSFET模型讨论 | 第23-28页 |
| ·MOSFET的SPICE BSIM3模型I-V特性 | 第23-25页 |
| ·源漏寄生电阻对MOSFET I-V特性的影响 | 第25-28页 |
| 第四章 高压MOSFET的BSIM3模型建立与参数提取 | 第28-45页 |
| ·器件建模与参数提取 | 第28-34页 |
| ·建模与参数提取工作的概念 | 第28-30页 |
| ·模型参数提取与优化的具体工作流程 | 第30-34页 |
| ·ICCAP建模软件 | 第34-39页 |
| ·BSIM3v3仿真器 | 第39-40页 |
| ·BSIM3模型对高压MOSFET建模的不足 | 第40-45页 |
| 第五章 高压MOSFET SPICE BSIM3 I-V模型的优化 | 第45-52页 |
| ·对高压MOSFET BSIM3v3模型的分析讨论 | 第45-49页 |
| ·源漏寄生电阻的栅压调制效应 | 第45-46页 |
| ·有效Vds参数δ的栅压调制效应 | 第46-47页 |
| ·对BSIM3高压模型优化方法的讨论 | 第47-49页 |
| ·高压MOSFET BSIM3v3 I-V模型的优化方案 | 第49-52页 |
| ·源漏寄生电阻的二次栅电压调制因子 | 第50-51页 |
| ·δ的栅电压调制因子 | 第51-52页 |
| 第六章 模型优化的实现与实验结果验证 | 第52-66页 |
| ·BSIM3v3模型库结构分析 | 第52页 |
| ·BSIM3v3模型库文件的源代码优化方法 | 第52-53页 |
| ·对HV MOSFET进行片上测量 | 第53-57页 |
| ·使用新模型进行参数提取的仿真结果 | 第57-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 回顾与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录 | 第74-76页 |
| 附录A 上海集成电路研发中心0.35MM 2P3M 14V HV MOSFET优化后的BSIM3v3 MODEL CARD(由ICCAP2002生成) | 第74-75页 |
| 附录B B31D.C部分优化代码摘录 | 第75-76页 |
