半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| ·半导体器件钝化薄膜的发展状况 | 第11-12页 |
| ·半导体集成电路表面钝化膜的分类及特点 | 第12-15页 |
| ·二氧化硅钝化薄膜 | 第12-13页 |
| ·三氧化二铝钝化薄膜 | 第13-14页 |
| ·氮化硅钝化薄膜 | 第14-15页 |
| ·问题的提出及论文研究内容 | 第15页 |
| ·小结 | 第15-16页 |
| 第2章 半导体器件钝化薄膜的界面理论 | 第16-32页 |
| ·清洁表面的电子状态 | 第16-17页 |
| ·真实表面的电子状态 | 第17页 |
| ·硅与氧化层界面的电子状态 | 第17-20页 |
| ·半导体表面的积累层、耗尽层、反型层 | 第20-23页 |
| ·MIS电容 | 第23-28页 |
| ·理想MIS电容器的C-V特性 | 第28-30页 |
| ·肖特基接触势垒 | 第28-29页 |
| ·欧姆接触 | 第29-30页 |
| ·实际MIS器件结构的C-V特性 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 氮化硅薄膜的结构及特性 | 第32-39页 |
| ·氮化硅热性质及高温稳定性 | 第32-33页 |
| ·氮化硅物理和化学性质 | 第33页 |
| ·氮化硅密度 | 第33页 |
| ·氮化硅结晶学特性 | 第33页 |
| ·氮化硅化学性能 | 第33页 |
| ·氮化硅腐蚀特性 | 第33-35页 |
| ·磷酸腐蚀法 | 第34页 |
| ·阳极氧化法 | 第34-35页 |
| ·钼掩蔽、浓HF腐蚀法 | 第35页 |
| ·等离子腐蚀法 | 第35页 |
| ·氮化硅光学性质 | 第35-36页 |
| ·氮化硅机械性质 | 第36-37页 |
| ·氮化硅硬度 | 第36-37页 |
| ·龟裂 | 第37页 |
| ·氮化硅力学性能 | 第37页 |
| ·氮化硅电学性质 | 第37-38页 |
| ·氮化硅介电强度 | 第37页 |
| ·禁带与电流传输 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第4章 半导体器件钝化层氮化硅薄膜的制备 | 第39-44页 |
| ·氮化硅薄膜制备的原材料 | 第39-40页 |
| ·氮化硅薄膜制备的装置及测试设备 | 第40页 |
| ·Si-Si3N4单重介质膜的制备 | 第40-41页 |
| ·制备装置 | 第40页 |
| ·实验步骤 | 第40-41页 |
| ·Si-SiO2-Si3N4双重介质膜的制备 | 第41-42页 |
| ·Si-SiO2单重介质膜的制备 | 第41-42页 |
| ·SiO2- Si3N4双重介质膜的制备 | 第42页 |
| ·氮化硅薄膜结构分析及界面特性的测试 | 第42-43页 |
| ·红外光谱测试(IR) | 第42页 |
| ·椭圆计测量薄膜腐蚀厚度 | 第42页 |
| ·原子力显微镜测试(AFM) | 第42页 |
| ·MIS结构的平带电压测量 | 第42页 |
| ·高频下平带电压测试 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第5章 实验结果的分析 | 第44-52页 |
| ·氮化硅生长速率与气体流量关系的研究 | 第44-45页 |
| ·氮化硅生长速率同衬底温度关系的研究 | 第45-46页 |
| ·氮化硅腐蚀特性的研究 | 第46-48页 |
| ·Si3H4/NH3比例与腐蚀速率的关系 | 第46-47页 |
| ·淀积温度与氮化硅腐蚀特性的关系 | 第47-48页 |
| ·氮化硅薄膜的组成结构分析 | 第48-49页 |
| ·红外光谱分析(IR) | 第48页 |
| ·原子力显微镜分析(AFM) | 第48-49页 |
| ·氮化硅薄膜器件电学性能的研究 | 第49-51页 |
| ·平带电压测试 | 第49-50页 |
| ·高频下平带电压测试 | 第50-51页 |
| ·双层结构平带电压测试 | 第51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
