超大规模集成电路二氧化硅介质层的化学机械抛光技术的研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| 1．1 选题意义 | 第7-8页 |
| 1．2 CMP技术概述 | 第8-11页 |
| 1．2．1 CMP技术简介 | 第8-9页 |
| 1．2．2 介质层CMP技术 | 第9-10页 |
| 1．2．3 CMP技术的历史、现状及发展趋势 | 第10-11页 |
| 1．3 目前介质层抛光存在的问题 | 第11页 |
| 1．4 本课题完成的工作 | 第11-12页 |
| 第二章 CMP机理分析 | 第12-24页 |
| 2．1 氧化物CMP机理简介 | 第12页 |
| 2．2 Preston方程 | 第12页 |
| 2．3 平坦化原理 | 第12-15页 |
| 2．4 水合作用 | 第15-16页 |
| 2．5 摩擦生热 | 第16-17页 |
| 2．6 液流层模型 | 第17-18页 |
| 2．7 面双电层模型 | 第18-19页 |
| 2．8 影响CMP质量的各项参数 | 第19-21页 |
| 2．9 CMP质量参数 | 第21-22页 |
| 2．10 终点检测 | 第22页 |
| 2．11 CMP生产能力 | 第22-24页 |
| 第三章 几种主要工艺参数对CMP的影响分析 | 第24-32页 |
| 3．1 抛光液的影响 | 第24-27页 |
| 3．2 压力的影响 | 第27-29页 |
| 3．3 所抛介质性质的影响 | 第29-30页 |
| 3．4 温度的影响 | 第30-32页 |
| 第四章 抛光液的配制及其性能的研究 | 第32-43页 |
| 4．1 抛光液简介 | 第32页 |
| 4．2 关于铈离子抛光机理分析研究 | 第32-33页 |
| 4．3 实验数据及分析 | 第33-43页 |
| 4．3．1 硝酸铈碱法 | 第33-36页 |
| 4．3．2 硫酸铈碱法 | 第36-38页 |
| 4．3．3 氯化铈碱法 | 第38-39页 |
| 4．3．4 硝酸铈酸法 | 第39-41页 |
| 4．3．5 实验分析 | 第41-42页 |
| 4．3．6 抛光液沉淀问题的解决 | 第42-43页 |
| 第五章 抛光布对CMP的影响的研究 | 第43-50页 |
| 5．1 抛光布的材料 | 第43-44页 |
| 5．2 抛光布的性质 | 第44页 |
| 5．3 抛光布在CMP中起到的作用 | 第44-50页 |
| 5．3．1 平坦化作用 | 第44-45页 |
| 5．3．2 质量传输 | 第45-46页 |
| 5．3．3 抛光布的修整 | 第46-48页 |
| 5．3．4 抛光布的形变 | 第48-50页 |
| 第六章 抛光液中的活性剂的作用的研究 | 第50-57页 |
| 6．1 表面活性剂简介 | 第50页 |
| 6．2 表面活性剂在溶液中的性质 | 第50-53页 |
| 6．3 亲水亲油平衡值 | 第53-54页 |
| 6．4 活性剂在CMP中的作用 | 第54-57页 |
| 6．4．1 分散作用 | 第54页 |
| 6．4．2 优先吸附模型 | 第54-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
