| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1.绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 研磨技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.3 研磨过程中的材料去除机理研究 | 第10-12页 |
| 1.3.1 脆性材料的去除模式 | 第10-12页 |
| 1.3.2 二体磨损和三体磨损去除 | 第12页 |
| 1.4 研磨材料去除率(MRR)的研究 | 第12-14页 |
| 1.4.1 材料去除率(MRR)模型 | 第12-13页 |
| 1.4.2 研磨工艺参数对材料去除率(MRR)的影响 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第14-16页 |
| 2.SiC单晶片研磨机理研究 | 第16-24页 |
| 2.1 研磨原理 | 第16页 |
| 2.2 SiC单晶材料的特性 | 第16-17页 |
| 2.3 力学分析 | 第17-18页 |
| 2.4 不同变形阶段 | 第18-21页 |
| 2.5 二体磨损与三体磨损去除 | 第21-23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-24页 |
| 3.研磨过程材料去除率(MRR)的研究 | 第24-36页 |
| 3.1 建立模型 | 第24-30页 |
| 3.1.1 接触表面分析 | 第25-26页 |
| 3.1.2 SiC单晶片—磨粒和研磨盘—磨粒接触处的变形 | 第26-28页 |
| 3.1.3 磨粒的分布规律 | 第28-29页 |
| 3.1.4 MRR的改进模型 | 第29-30页 |
| 3.2 模型仿真验证 | 第30-34页 |
| 3.2.1 仿真验证工具 | 第30-31页 |
| 3.2.2 模型仿真验证 | 第31-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 4.SiC单晶片研磨工艺研究 | 第36-54页 |
| 4.1 实验目的 | 第36页 |
| 4.2 实验设备 | 第36-44页 |
| 4.2.1 ZYP400研磨抛光机 | 第36-40页 |
| 4.2.2 操作面板 | 第40-41页 |
| 4.2.3 定时器 | 第41-42页 |
| 4.2.4 电子天平 | 第42页 |
| 4.2.5 Leica DCM 3D共聚焦显微镜 | 第42-43页 |
| 4.2.6 研磨液 | 第43-44页 |
| 4.3 工艺流程制定 | 第44页 |
| 4.4 SiC单晶片研磨材料去除模式验证试验 | 第44-49页 |
| 4.4.1 试验方案 | 第44-45页 |
| 4.4.2 试验结果与分析 | 第45-49页 |
| 4.4.3 试验结论 | 第49页 |
| 4.5 材料去除率(MRR)模型验证试验 | 第49-52页 |
| 4.5.1 试验方案 | 第49-50页 |
| 4.5.2 试验结果与分析 | 第50-52页 |
| 4.5.3 试验结论 | 第52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 5.单颗磨粒研磨SiC单晶片过程的仿真 | 第54-60页 |
| 5.1 ABAQUS软件 | 第54-55页 |
| 5.1.1 ABAQUS/CAE模块 | 第54页 |
| 5.1.2 ABAQUS/Standard模块 | 第54页 |
| 5.1.3 ABAQUS/Explicit模块 | 第54-55页 |
| 5.2 单颗磨粒仿真分析 | 第55-59页 |
| 5.2.1 建立模型 | 第55-56页 |
| 5.2.2 求解分析 | 第56-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 6.结论与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 结论 | 第60页 |
| 6.2 展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 在校期间发表论文及参与项目 | 第68页 |