铝栅CMP后清洗工艺的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 铝栅CMP后清洗的背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 铝栅表面沾污的分类及危害 | 第10-12页 |
| 1.2.1 金属离子及氧化物污染物 | 第11页 |
| 1.2.2 有机物污染物 | 第11-12页 |
| 1.2.3 颗粒污染物 | 第12页 |
| 1.3 当前国际清洗技术的发展 | 第12-16页 |
| 1.3.1 RCA湿法化学清洗 | 第12-13页 |
| 1.3.2 Mirra-on track清洗系统 | 第13-14页 |
| 1.3.3 超声和兆声清洗技术 | 第14-15页 |
| 1.3.4 气体化学试剂的干法清洗技术 | 第15-16页 |
| 1.4 铝栅CMP后清洗的研究内容和工作计划 | 第16-18页 |
| 第二章 实验设备介绍 | 第18-23页 |
| 2.1 实验设备简介 | 第18-19页 |
| 2.1.1 E460抛光机 | 第18页 |
| 2.1.2 PVA刷 | 第18-19页 |
| 2.1.3 超声清洗机 | 第19页 |
| 2.2 检测设备简介 | 第19-22页 |
| 2.2.1 金相显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第20-21页 |
| 2.2.3 电化学工作站 | 第21-22页 |
| 2.3 其他实验设备 | 第22-23页 |
| 第三章 颗粒吸附规律及解吸原理的研究 | 第23-34页 |
| 3.1 抛光液成分对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第23-27页 |
| 3.1.1 磨料浓度对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第24-25页 |
| 3.1.2 活性剂对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第25-27页 |
| 3.2 抛光工艺对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第27-30页 |
| 3.2.1 抛光液流量对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第27-28页 |
| 3.2.2 抛光压力对硅溶胶颗粒吸附的影响规律 | 第28-30页 |
| 3.3 颗粒吸附理论及解吸原理 | 第30-32页 |
| 3.3.1 颗粒吸附理论探究 | 第30-31页 |
| 3.3.2 颗粒解吸原理探究 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 铝栅CMP后清洗液成分的研究 | 第34-43页 |
| 4.1 螯合剂对清洗效果的影响 | 第34-38页 |
| 4.1.1 螯合剂的选择 | 第34-35页 |
| 4.1.2 FA/OⅡ螯合剂的清洗机理 | 第35-36页 |
| 4.1.3 FA/OⅡ螯合剂对颗粒去除效果的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.4 FA/OⅡ螯合剂对表面粗糙度的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 活性剂对清洗效果的影响 | 第38-42页 |
| 4.2.1 活性剂的选择 | 第38-39页 |
| 4.2.2 O-20非离子型活性剂的作用机理 | 第39-40页 |
| 4.2.3 O-20活性剂对颗粒去除效果的研究 | 第40页 |
| 4.2.4 O-20活性剂对表面粗糙度的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 水基清洗工艺的研究 | 第43-51页 |
| 5.1 PVA水基清洗效果的研究 | 第43-46页 |
| 5.1.1 清洗液流量对PVA清洗效果的影响 | 第43-44页 |
| 5.1.2 清洗时间对PVA清洗效果的影响 | 第44-45页 |
| 5.1.3 PVA清洗工艺的局限性 | 第45-46页 |
| 5.2 以抛代洗水基清洗效果的研究 | 第46-50页 |
| 5.2.1 抛代洗工艺中压力对清洗效果的影响 | 第46-47页 |
| 5.2.2 抛代洗工艺中转速对清洗效果的影响 | 第47-48页 |
| 5.2.3 抛代洗工艺中流量对清洗效果的影响 | 第48-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 超声清洗工艺的研究 | 第51-55页 |
| 6.1 超声清洗温度对清洗效果的影响 | 第51-52页 |
| 6.2 超声清洗功率对清洗效果的影响 | 第52-53页 |
| 6.3 超声清洗时间对清洗效果的影响 | 第53-54页 |
| 6.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第七章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的相关研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
