| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 SiC IGBT的研究背景 | 第18-19页 |
| 1.2 SiC IGBT的研究现状 | 第19-25页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 常规SiC IGBT的结构设计 | 第26-42页 |
| 2.1 SiC IGBT的基本结构和工艺 | 第26-28页 |
| 2.2 SiC IGBT的工作机理 | 第28-29页 |
| 2.3 常规SiC IGBT的特性仿真和结构设计 | 第29-40页 |
| 2.3.1 SiC IGBT的仿真参数模型 | 第29-33页 |
| 2.3.2 SiC IGBT的基本特性 | 第33-37页 |
| 2.3.3 SiC IGBT的关键参数仿真 | 第37-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 新型注入增强型SiC IGBT的模拟研究 | 第42-56页 |
| 3.1 新型注入增强型SiC IGBT的基本结构和原理 | 第42-43页 |
| 3.2 新型注入增强型SiC IGBT基本特性 | 第43-46页 |
| 3.3 新型注入增强型SiC IGBT的关键参数 | 第46-54页 |
| 3.3.1 肖特基势垒高度(SB)对新结构性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.2 发射极肖特基接触与欧姆接触比例(a)对新结构性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 肖特基接触区深度(Hpp)对新结构性能的影响 | 第50-53页 |
| 3.3.4 肖特基接触区掺杂浓度(Np)对新结构性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 新型注入增强型SiC IGBT的抗闩锁效应退化研究 | 第56-68页 |
| 4.1 闩锁效应概述 | 第56-61页 |
| 4.1.1 闩锁效应产生机理 | 第56-58页 |
| 4.1.2 闩锁效应发生条件 | 第58-59页 |
| 4.1.3 闩锁效应改善措施 | 第59-61页 |
| 4.2 常规结构与新型注入增强型SiC IGBT闩锁电流对比 | 第61-63页 |
| 4.3 影响新型注入增强型SiC IGBT结构闩锁效应的关键参数 | 第63-65页 |
| 4.3.1 肖特基接触区掺杂浓度(Np)对闩锁效应的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.2 肖特基接触区厚度(Hpp)对闩锁效应的影响 | 第64页 |
| 4.3.3 肖特基势垒高度(SB)对闩锁效应的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-72页 |
| 5.1 总结 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
