GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究
| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-33页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第21-22页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第22-30页 |
| 1.2.1 辐照效应研究进展 | 第23-26页 |
| 1.2.2 注入效应研究进展 | 第26-30页 |
| 1.3 论文研究的创新点与内容结构安排 | 第30-33页 |
| 1.3.1 论文创新点 | 第30-31页 |
| 1.3.2 论文内容结构安排 | 第31-33页 |
| 第二章 半导体器件损伤效应机理和防护加固技术 | 第33-41页 |
| 2.1 强电磁脉冲的耦合途径 | 第33-34页 |
| 2.2 强电磁脉冲的损伤物理机理 | 第34-35页 |
| 2.3 典型半导体器件主要失效机理 | 第35-37页 |
| 2.3.1 结型半导体器件 | 第35-36页 |
| 2.3.2 金属氧化物半导体器件 | 第36页 |
| 2.3.3 GaAs PHEMT器件 | 第36-37页 |
| 2.4 强电磁脉冲防护加固技术 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 半导体器件损伤模型的建立 | 第41-49页 |
| 3.1 Sentaurs TCAD简介 | 第41-42页 |
| 3.2 器件结构 | 第42页 |
| 3.3 数值模型 | 第42-47页 |
| 3.3.1 载流子输运模型 | 第42-44页 |
| 3.3.2 物理参数模型 | 第44-46页 |
| 3.3.3 边界条件 | 第46-47页 |
| 3.4 信号模型 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 EMP作用下的损伤效应与机理 | 第49-59页 |
| 4.1 损伤瞬态响应 | 第49-54页 |
| 4.1.1 电场强度分布变化情况 | 第49-51页 |
| 4.1.2 电流密度分布变化情况 | 第51-53页 |
| 4.1.3 温度分布变化情况 | 第53-54页 |
| 4.2 外部条件对器件损伤效应的影响 | 第54-58页 |
| 4.2.1 信号参数的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.2 外接电阻的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 器件损伤阈值研究 | 第59-71页 |
| 5.1 损伤阈值经验公式 | 第59-63页 |
| 5.2 器件损伤功率阈值 | 第63-65页 |
| 5.3 器件损伤能量阈值 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 重复脉冲损伤效应 | 第71-83页 |
| 6.1 器件脉冲失效模型 | 第71-74页 |
| 6.2 重复脉冲损伤瞬态响应 | 第74-79页 |
| 6.3 脉冲参数的影响 | 第79-81页 |
| 6.3.1 脉宽对器件损伤时间的影响 | 第79页 |
| 6.3.2 脉冲周期对器件损伤时间的影响 | 第79-80页 |
| 6.3.3 占空比对器件损伤时间的影响 | 第80-81页 |
| 6.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第七章 HPM作用下的损伤效应与机理 | 第83-97页 |
| 7.1 损伤瞬态响应 | 第83-90页 |
| 7.2 不同信号样式损伤效应比较 | 第90-91页 |
| 7.3 HPM损伤效应实验 | 第91-95页 |
| 7.3.1 实验平台搭建 | 第92-93页 |
| 7.3.2 LNA电路损伤判据 | 第93-94页 |
| 7.3.3 实验步骤 | 第94页 |
| 7.3.4 实验结果 | 第94-95页 |
| 7.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 第八章 总结与展望 | 第97-101页 |
| 8.1 总结 | 第97-99页 |
| 8.2 展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 作者简介 | 第111-113页 |
