| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 引言 | 第10-12页 |
| 2 Ⅲ族氮化物 | 第12-23页 |
| 2.1 特点与应用 | 第12-13页 |
| 2.2 GAN结构性质与外延生长 | 第13-14页 |
| 2.3 氮化镓高电子迁移率晶体管 | 第14-18页 |
| 2.3.1 二维电子气的简介 | 第15-16页 |
| 2.3.2 二维电子气的主要散射机制 | 第16-18页 |
| 2.4 氮化镓的压电效应以及压力传感器 | 第18-20页 |
| 2.4.1 氮化镓异质结的极化效应 | 第18-19页 |
| 2.4.2 氮化镓压力传感器 | 第19-20页 |
| 2.5 本文选题依据以及研究内容 | 第20-23页 |
| 3 ALGAN/GAN-HEMT中的压电效应 | 第23-29页 |
| 3.1 压电效应的物理意义 | 第23页 |
| 3.2 压电效应的解析式分析 | 第23-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 4. 压电效应下氮化镓异质结的输运特性 | 第29-39页 |
| 4.1 物理意义 | 第29-30页 |
| 4.2 ALGAN/GAN-HEMT中压电效应下的散射模型 | 第30-33页 |
| 4.3 讨论与结果 | 第33-38页 |
| 4.4 本章结论 | 第38-39页 |
| 5. 用自洽求解计算压电效应下的电子输运 | 第39-45页 |
| 5.1 一维自洽求解薛定谔方程以及泊松方程 | 第39-42页 |
| 5.2 自洽求解泊松方程和薛定谔方程的流程 | 第42-43页 |
| 5.3 费米能级的其他确定方式 | 第43-44页 |
| 5.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 6 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第50-52页 |
| 学位论文数据集 | 第52页 |