| 第一章:绪论 | 第7-28页 |
| 1.1 GaN基材料发展历程及研究背景 | 第7-10页 |
| 1.2 Ш族氮化物材料基本性质 | 第10-13页 |
| 1.3 半导体超晶格与量子阱 | 第13-17页 |
| 1.4 InGaN/GaN量子阱基本性质 | 第17-20页 |
| 1.5 MOCVD生长技术 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-28页 |
| 第二章:半导体材料表征方法 | 第28-44页 |
| 2.1 透射电子显微术 | 第28-39页 |
| 2.2 光致发光 | 第39-40页 |
| 2.3 X射线双晶衍射技术 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章:In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱结构缺陷与性能关系研究 | 第44-63页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 样品制备及实验过程 | 第44-45页 |
| 3.3 结构性质及参数的测量表征 | 第45-59页 |
| 3.3.1 透射电镜及X射线表征结果 | 第45-56页 |
| 3.3.2 PL测量结果 | 第56-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第四章:In_xGa_(1-x)N量子阱的电子全息研究 | 第63-75页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 离轴全息的基本原理 | 第63-67页 |
| 4.3 离轴全息的应用 | 第67-68页 |
| 4.4 会聚束(CBED)测定薄试样厚度的方法 | 第68-69页 |
| 4.5 InGaN量子阱离轴全息实验结果 | 第69-73页 |
| 4.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第五章:InAs/GaAs量子点退火对光学性能和结构影响的研究 | 第75-85页 |
| 5.1 引言 | 第75-76页 |
| 5.2 自组织生长 | 第76-77页 |
| 5.3 样品制备条件及结构 | 第77-78页 |
| 5.4 透射电镜及光致发光谱的结果 | 第78-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第六章:结论 | 第85-87页 |
| 博士期间发表文章目录 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 摘要 | 第89-91页 |
| ABSTRACT | 第91页 |
