基于40nm工艺下的LVDS设计与实现
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| ·课题实现的背景和意义 | 第11-12页 |
| ·背景 | 第11页 |
| ·意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·国外研究现状 | 第12-13页 |
| ·国内研究现状 | 第13页 |
| ·LVDS技术特点 | 第13-14页 |
| ·本文主要工作 | 第14-15页 |
| ·论文的章节安排 | 第15-17页 |
| 2 LVDS理论及结构概述 | 第17-25页 |
| ·ANSI/TIA/EIA-644A标准介绍 | 第17-18页 |
| ·LVDS原理介绍 | 第18-20页 |
| ·LVDS基本类型 | 第20-23页 |
| ·点对点结构 | 第20-21页 |
| ·LVDS其他结构 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 3 发送器的设计与仿真 | 第25-37页 |
| ·LVDS发送电路基本概述 | 第25-26页 |
| ·使能电路原理 | 第26-27页 |
| ·信号转换电路原理 | 第27-30页 |
| ·低压单转差部分 | 第27-29页 |
| ·低压转高压部分 | 第29-30页 |
| ·预加重部分 | 第30页 |
| ·主电路原理 | 第30-32页 |
| ·发送器电路前仿真 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 4 接收器的设计与仿真 | 第37-51页 |
| ·LVDS接收电路基本概述 | 第37-38页 |
| ·主电路部分 | 第38-41页 |
| ·轨到轨输入级结构 | 第38-40页 |
| ·主电路结构 | 第40-41页 |
| ·缓冲整形部分 | 第41-42页 |
| ·接收器的仿真及结果 | 第42-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 偏置电路的设计 | 第51-59页 |
| ·带隙基准电压电路的工作原理 | 第51-55页 |
| ·电压转电流电路的工作原理 | 第55页 |
| ·电路的仿真及结果分析 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 版图设计及后仿真结果 | 第59-67页 |
| ·版图设计 | 第59-61页 |
| ·版图实现设计 | 第61-62页 |
| ·整体电路的后仿真结果 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 7 测试方案和测试结果 | 第67-77页 |
| ·测试方案 | 第68-75页 |
| ·主要技术指标 | 第68页 |
| ·Pin描述 | 第68-69页 |
| ·测试方法 | 第69-75页 |
| ·测试结果 | 第75-76页 |
| ·测试眼图 | 第76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 8 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 学位论文数据集 | 第85页 |
