| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·应变硅技术的发展 | 第9-10页 |
| ·本论文研究的意义 | 第10-11页 |
| ·论文的研究内容及安排 | 第11-13页 |
| 第2章 计算的理论基础 | 第13-26页 |
| ·第一性原理计算概述 | 第13-15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-18页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第15-16页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第17-18页 |
| ·交换-关联泛函 | 第18-20页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第18-19页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第19-20页 |
| ·能量计算 | 第20-22页 |
| ·赝势 | 第20-21页 |
| ·自洽场计算 | 第21-22页 |
| ·计算软件介绍 | 第22-25页 |
| ·CASTEP 软件包简介 | 第23页 |
| ·Atomistix TooKit（ATK）简介 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 应力对体硅特性的影响 | 第26-53页 |
| ·应变硅中应力介绍 | 第26-27页 |
| ·应力与应变 | 第27-31页 |
| ·能带计算 | 第31-39页 |
| ·硅中应力下等能面的变化 | 第32-33页 |
| ·计算参数选择与设定 | 第33-34页 |
| ·能带结构 | 第34-39页 |
| ·有效质量 | 第39-46页 |
| ·应力下的带-带隧穿（Band-to-Band Tunneling） | 第46-52页 |
| ·带-带隧穿模型 | 第46-48页 |
| ·应力对带-带隧穿的影响 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 应力下硅纳米线传输特性的研究 | 第53-63页 |
| ·硅纳米线的结构 | 第53-54页 |
| ·计算方法 | 第54-57页 |
| ·电子传输的计算 | 第54-56页 |
| ·计算参数的设定 | 第56-57页 |
| ·计算结果 | 第57-62页 |
| ·器件态密度（DDOS） | 第58页 |
| ·透射系数（T(E)） | 第58-60页 |
| ·电流-电压关系 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-65页 |
| ·本文总结 | 第63页 |
| ·下一阶段的研究工作 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |