多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型

中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章 绪论	第8-20页
·平板显示技术	第8-11页
·液晶显示器	第8-9页
·有机发光显示器	第9-10页
·等离子显示器	第10-11页
·多晶硅 TFT 概论	第11-14页
·多晶硅 TFT 技术的优点	第11页
·多晶硅 TFT 结构	第11-12页
·低温多晶硅 TFT 制造工艺简介	第12-14页
·实验样品的制备及测试仪器	第14-18页
·多晶硅薄膜晶体管的制备	第14-16页
·实验测试仪器	第16-18页
参考文献	第18-20页
第二章 串联电阻模型的研究现状	第20-32页
·Rs模型研究进展综述	第20-22页
·非晶硅中的 Rs模型	第22-23页
·MOSFET 中的 Rs模型	第23-29页
·MOSFET 串联结构的 Rs模型	第23-26页
·MOSFET 并联结构的 Rs模型	第26-29页
·本章小结	第29-30页
参考文献	第30-32页
第三章 多晶硅 TFT 的串联电阻模型	第32-60页
·Rs的构成	第32页
·多晶硅的晶粒间界势垒模型	第32-39页
·多晶硅的晶粒间界缺陷	第32-33页
·多晶硅的晶粒间界势垒对载流子迁移率的调制	第33-39页
·Rs模型的推导	第39-42页
·Rs提取方法	第42-44页
·实验结果与模型的验证	第44-51页
·实验结果的比较	第44-46页
·模型参数的合理性验证	第46-51页
·模型的优化与解析表达式	第51-55页
·模型的优化	第51-53页
·串联电阻的解析表达式	第53-55页
·减小串联电阻的方法	第55-56页
·本章小结	第56-57页
参考文献	第57-60页
第四章 结论及未来工作	第60-62页
致谢	第62-63页