| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| ·金刚石的晶体结构、性质及应用 | 第14-24页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第14-16页 |
| ·金刚石的性质及应用 | 第16-21页 |
| ·金刚石的分类 | 第21-24页 |
| ·化学气相沉积金刚石膜的研究进展 | 第24-25页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第25-28页 |
| 第2章 CVD 金刚石的成膜机理、制备及表征方法 | 第28-39页 |
| ·CVD 法生长金刚石膜的机理 | 第28-32页 |
| ·CVD 金刚石膜的制备方法简介 | 第32-36页 |
| ·热丝 CVD 法 | 第32-33页 |
| ·微波等离子体 CVD 法 | 第33-34页 |
| ·直流等离子体喷射 CVD 法 | 第34页 |
| ·射频等离子体 CVD 法 | 第34-35页 |
| ·电子回旋共振 CVD 法 | 第35页 |
| ·燃烧火焰辅助 CVD 法 | 第35-36页 |
| ·CVD 金刚石膜的表征 | 第36-39页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第36页 |
| ·X 射线衍射分析仪（XRD） | 第36-37页 |
| ·激光拉曼光谱仪（Raman） | 第37页 |
| ·霍尔效应测试仪（Hall） | 第37-39页 |
| 第3章 CH_4/H_2气氛下金刚石膜生长特性研究 | 第39-67页 |
| ·直流热阴极 PCVD 实验装置及实验准备 | 第39-44页 |
| ·直流热阴极 PCVD 实验装置 | 第39-42页 |
| ·实验准备及样品的制备 | 第42-44页 |
| ·压强对金刚石膜生长特性的影响 | 第44-55页 |
| ·较高 CH_4浓度下压强对金刚石膜生长特性的影响 | 第45-51页 |
| ·较低 CH_4浓度下压强对金刚石膜生长特性的影响 | 第51-55页 |
| ·衬底温度对金刚石膜生长特性的影响 | 第55-61页 |
| ·SEM 分析 | 第55-57页 |
| ·Raman 分析 | 第57-59页 |
| ·XRD 分析 | 第59-60页 |
| ·综合分析 | 第60-61页 |
| ·CH_4流量对金刚石膜生长特性的影响 | 第61-65页 |
| ·SEM 分析 | 第61-63页 |
| ·Raman 分析 | 第63-64页 |
| ·XRD 分析 | 第64-65页 |
| ·综合分析 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 低温低压下纳米金刚石膜的制备及性能分析 | 第67-74页 |
| ·样品的制备 | 第67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-72页 |
| ·SEM 分析 | 第67-69页 |
| ·Raman 分析 | 第69-71页 |
| ·XRD 分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 氮掺杂高导电纳米金刚石膜的制备与性能研究 | 第74-85页 |
| ·C_3H_6N_6流量对金刚石膜生长特性的影响 | 第75-81页 |
| ·SEM 分析 | 第75-78页 |
| ·Raman 分析 | 第78-80页 |
| ·XRD 分析 | 第80-81页 |
| ·不同氮流量对金刚石膜电阻率的影响 | 第81页 |
| ·含 Ar 气氛下氮掺杂纳米金刚石膜的制备及性能分析 | 第81-84页 |
| ·SEM 分析 | 第81-82页 |
| ·Raman 分析 | 第82-83页 |
| ·XRD 分析 | 第83-84页 |
| ·不同 Ar/H_2流量比对纳米晶金刚石膜电学性能的影响 | 第84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第101页 |
