| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-10页 |
| ·金刚石的结构 | 第8-9页 |
| ·金刚石的性质与应用 | 第9-10页 |
| 第2章 人工合成金刚石的原理和方法 | 第10-19页 |
| ·人工合成金刚石的历史 | 第10-11页 |
| ·CVD 金刚石膜的生长理论 | 第11-14页 |
| ·CVD 金刚石膜的生长过程 | 第11-13页 |
| ·影响 CVD 金刚石膜生长因素 | 第13-14页 |
| ·CVD 金刚石膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·CVD 金刚石薄膜掺杂研究 | 第16-17页 |
| ·论文的选题及主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第3章 不同 N 源制备金刚石薄膜的研究 | 第19-28页 |
| ·直流热阴极辉光等离子体化学气相沉积（PCVD）装置 | 第19-20页 |
| ·CVD 金刚石膜的主要表征手段 | 第20-22页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第20页 |
| ·激光拉曼光谱（Raman Shift）表征 | 第20-21页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD)表征 | 第21-22页 |
| ·霍尔表征（Hall） | 第22页 |
| ·N 源气体研究 | 第22-28页 |
| ·氮源性质简介 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第25页 |
| ·激光拉曼光谱（Raman Shift）表征 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) 表征 | 第26-28页 |
| 第4章 NH_3对 N 掺杂金刚石薄膜制备及电学性质影响 | 第28-43页 |
| ·氨气流量对金刚石薄膜的影响 | 第28-33页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第28-30页 |
| ·激光拉曼光谱（Raman Shift）表征 | 第30-31页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) 表征 | 第31-32页 |
| ·NH_3浓度对金刚石膜电学性能的影响 | 第32-33页 |
| ·基片温度对掺 N 金刚石薄膜的影响 | 第33-38页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第34-35页 |
| ·激光拉曼光谱（Raman Shift）表征 | 第35-36页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) 表征 | 第36-37页 |
| ·基片温度对金刚石膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·反应压强对掺 N 金刚石薄膜的影响 | 第38-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第38-39页 |
| ·激光拉曼光谱（Raman Shift）表征 | 第39页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) 表征 | 第39-40页 |
| ·压强对金刚石膜电学性能的影响 | 第40页 |
| ·均匀性研究 | 第40-41页 |
| ·NH_3+CH_4+H_2气氛下纳米金刚石膜的制备工艺研究 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第51页 |
