首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

基于AFM和ICP制备高深宽比微纳沟槽结构的实验研究

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-13页
   ·课题来源第8页
   ·课题背景第8-9页
   ·国内外研究概况第9-11页
   ·论文的研究内容第11-13页
2 基于AFM 的微纳沟槽结构模板制备研究第13-27页
   ·AFM 技术第13-15页
   ·AFM 加工模板实验第15-25页
   ·小结第25-27页
3 基于ICP 的高深宽比沟槽刻蚀研究第27-42页
   ·ICP 刻蚀技术第27-30页
   ·ICP 刻蚀实验第30-40页
   ·小结第40-42页
4 高深宽比微纳尺度沟槽制备工艺分析第42-52页
   ·溅射金属掩膜质量对深沟槽结构制备的影响第42-43页
   ·湿法腐蚀的影响第43页
   ·AFM 模板制备工艺的缺陷分析第43-44页
   ·ICP 刻蚀深沟槽结构的缺陷分析第44-50页
   ·小结第50-52页
5 总结与展望第52-54页
   ·全文总结第52-53页
   ·展望第53-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-57页

论文共57页,点击 下载论文
上一篇:基于GPU的合成孔径雷达回波仿真技术研究
下一篇:无线传感器网络分簇路由协议研究