硅基弯曲板波传感器制备工艺研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 绪论	第10-15页
·研究背景	第10-11页
·国内外研究情况	第11-12页
·研究意义和主要内容	第12-15页
第二章 弯曲板波传感器的理论分析	第15-28页
·压电晶体的物理性质	第15-22页
·晶体的压电性质	第15-17页
·晶体的介电性质	第17-19页
·晶体的弹性性质	第19-22页
·弯曲板波传感器的原理	第22-26页
·声波传感器的原理及分类	第22-23页
·弯曲板波传感器的结构与原理分析	第23-26页
·硅基弯曲板波（FPW）器件的设计	第26-28页
·叉指电极的版图设计	第26-27页
·多层复合板结构设计	第27-28页
第三章 压电薄膜制备及性能分析	第28-42页
·压电薄膜介绍	第28-29页
·压电薄膜性能分析	第29-31页
·压电薄膜的结构特性分析	第29-30页
·以HBAR 器件间接检测压电薄膜电性能	第30-31页
·ZnO 压电薄膜的制备及性能分析	第31-39页
·两种ZnO 薄膜的制备	第32-33页
·ZnO 薄膜的晶体结构分析	第33-35页
·ZnO 薄膜的电学特性分析	第35-38页
·ZnO 薄膜的应力分析	第38-39页
·AlN 压电薄膜的制备及性能分析	第39-42页
·溅射气压对择优取向的影响	第40-41页
·气体比例对择优取向的影响	第41-42页
第四章 器件的制备和检测	第42-59页
·MEMS 技术	第42-46页
·MEMS 技术概述	第42-43页
·器件制备采用的MEMS 工艺	第43-46页
·硅基MEMS FPW 器件的制备	第46-51页
·硅基MEMS Lamb 波器件的制备	第51-55页
·器件的频率响应测试	第55-59页
第五章 结论	第59-61页
参考文献	第61-64页
在学研究成果	第64-65页
致谢	第65页