| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪言 | 第8-12页 |
| ·III-V 族化合物半导体与SI材料的集成 | 第8-10页 |
| ·本文的工作 | 第10-12页 |
| 第二章 AL_XGA_(1-X)N/GAN 调谐分布布拉格反射镜（TDBR） | 第12-27页 |
| ·引言 | 第12-17页 |
| ·全方向反射率和TDBR 的基本概念 | 第17-18页 |
| ·多层模系反射率 | 第18-20页 |
| ·混合模拟退火遗传优化算法 | 第20-22页 |
| ·AL_XGA_(1-X)N/GAN-TDBR 的性能 | 第22-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 单环有源的双环耦合硅基微环共振腔 | 第27-59页 |
| ·引言 | 第27-31页 |
| ·ADD-DROP 型微环共振腔的基本特性 | 第31-38页 |
| ·微环共振腔的描述方法 | 第38-46页 |
| ·单环有源的双环耦合硅基微环共振腔 | 第46-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-62页 |
| ·关于调谐布拉格反射镜 | 第59-60页 |
| ·关于微环共振腔 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68-69页 |