DMOS抗辐射关键技术及新结构器件的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| ·概况 | 第8-9页 |
| ·国内外发展动态 | 第9-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 PSOI VDMOS 器件基本原理 | 第14-31页 |
| ·半导体辐射理论 | 第14-22页 |
| ·辐照环境 | 第14-15页 |
| ·辐照效应 | 第15-16页 |
| ·损伤机制 | 第16页 |
| ·MOS 器件的辐照理论 | 第16-20页 |
| ·抗辐照技术 | 第20-22页 |
| ·PSOI VDMOS 器件基本结构 | 第22-30页 |
| ·VDMOS 简介 | 第22-27页 |
| ·SOI 简介 | 第27-29页 |
| ·两种新结构的提出 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 PSOI VDMOS 器件优化设计 | 第31-51页 |
| ·基本参数设计流程 | 第31-34页 |
| ·耐压导通电阻基本指标设计 | 第32页 |
| ·抗总剂量辐照指标设计 | 第32-33页 |
| ·结终端设计 | 第33-34页 |
| ·I层设计参数确定 | 第34-49页 |
| ·耐压解析模型 | 第34-43页 |
| ·导通电阻解析模型 | 第43-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 PSOI VDMOS 器件特性研究 | 第51-62页 |
| ·器件辐照特性研究 | 第51-59页 |
| ·单粒子辐照研究 | 第51-56页 |
| ·瞬态辐照研究 | 第56-58页 |
| ·总剂量辐照研究 | 第58-59页 |
| ·其他特性研究 | 第59-61页 |
| ·耐压提高 | 第59-60页 |
| ·避免SOI 自热效应 | 第60页 |
| ·频率特性改善 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 版图设计、工艺流程及测试方案 | 第62-67页 |
| ·器件版图设计 | 第62-63页 |
| ·器件工艺设计 | 第63页 |
| ·测试方案设计 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
| 个人简介 | 第75-76页 |
