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形状可控的金属VIA族半导体的γ-射线辐射法合成

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-10页
第一章 纳米半导体材料及γ—射线辐射法制备纳米材料的研究进展第10-46页
 §1.1 引言第10-11页
 §1.2 纳米科技的研究领域第11-24页
  §1.2.1 纳米物理学第11-15页
  §1.2.2 纳米化学第15-21页
  §1.2.3 纳米材料学第21-22页
  §1.2.4 纳米生物学第22页
  §1.2.5 纳米医学第22-23页
  §1.2.6 纳米电子学第23-24页
  §1.2.7 纳米力学第24页
  §1.2.8 纳米加工学第24页
 §1.3 纳米半导体材料的制备技术第24-30页
  §1.3.1 半导体材料简述第24-25页
  §1.3.2 纳米半导体材料的进展第25-27页
  §1.3.3 半导体纳米结构的制备技术第27-30页
 §1.4 γ-射线辐射法制备纳米材料的研究进展第30-35页
  §1.4.1 纳米材料的辐射合成法制备第30-34页
  §1.4.2 辐射合成法制备纳米材料的展望第34-35页
 §1.5 纳米材料的表征第35-39页
  §1.5.1 成分分析第36页
  §1.5.2 结构和形态分析第36-37页
  §1.5.3 性质分析第37-39页
 §1.6 本论文的选题背景和研究内容第39-40页
 参考文献第40-46页
第二章 半导体硫(硒)化物的三维空心结构的辐射法制备第46-64页
 §2.1 引言第46页
 §2.2 纳米CdSe的化学合成方法第46-49页
 §2.3 CdSe三维空心结构的一步辐射法制备第49-52页
  §2.3.1 实验部分第49-51页
  §2.3.2 形成机制探讨第51-52页
 §2.4 硫化镍空心微球的辐射模板法制备第52-58页
  §2.4.1 实验部分第52-55页
  §2.4.2 空心球形成实验机理第55-57页
  §2.4.3 产物的光学性能第57-58页
 §2.5 PbS空心球的辐射法制备第58-61页
  §2.5.1 实验部分第58-60页
  §2.5.2 产物的光学性能第60-61页
 §2.6 本章小结第61页
 参考文献第61-64页
第三章 ZnO的低维纳米结构的辐射法及化学溶液法合成第64-81页
 §3.1 引言第64-65页
 §3.2 单晶ZnO六棱柱的辐射法制备第65-71页
  §3.2.1 实验部分第65-68页
  §3.2.2 形成机理和影响因素第68-71页
 §3.3 单晶ZnO纳米花的低温溶液生长合成第71-77页
  §3.3.1 实验部分第72-75页
  §3.3.2 生长机理探讨第75-77页
 §3.4 本章小结第77-78页
 参考文献第78-81页
第四章 半导体氧(硫)化物一维结构的辐射法合成第81-97页
 §4.1 引言第81页
 §4.2 纳米指南针状结构的单晶Mn_3O_4的辐射法制备第81-86页
  §4.2.1 实验部分第83-85页
  §4.2.2 形成机理探讨第85-86页
 §4.3 辐照SiO_2/PAM模板法合成Ni_3S_2纳米线第86-93页
  §4.3.1 单分散二氧化硅纳米球的模板制备第87-88页
  §4.3.2 合成思路的提出第88-89页
  §4.3.3 实验部分第89-93页
  §4.3.4 结果讨论第93页
 §4.4 本章小结第93-94页
 参考文献第94-97页
第五章 表面活性剂辅助辐射法制备二元和三元硫化物纳米球第97-114页
 §5.1 表面活性剂的基本概念第97-99页
  §5.1.1 表面活性剂对结晶过程的影响第97-98页
  §5.1.2 表面活性剂与纳米材料的制备第98-99页
 §5.2 PVP辅助的辐射法合成ZnS纳米球第99-104页
  §5.2.1 实验过程第99-103页
  §5.2.2 形成机理探讨第103-104页
 §5.3 PVP辅助的辐射法合成CdS纳米球第104-106页
  §5.3.1 实验部分第104-105页
  §5.3.2 产物表征第105-106页
 §5.4 PVP辅助的辐射法合成Cd_(0.81)Zn_(0.19)S纳米球第106-111页
  §5.4.1 实验部分第106页
  §5.4.2 产物表征第106-110页
  §5.4.3 产品的光学性能第110-111页
 §5.5 本章小结第111页
 参考文献第111-114页
附录:博士期间发表的研究论文第114-115页
致谢第115页

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