| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 气体传感器的定义、特性和发展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 气体传感器概念与分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 气体传感器的特征参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 气体传感器的发展和重点关注方向 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化钨气体传感器 | 第14-17页 |
| 1.3.1 氧化钨气体传感器研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 氧化钨实验室合成方法 | 第16-17页 |
| 1.4 气体传感器的响应类型 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究内容和研究目的 | 第18-20页 |
| 第二章 基础理论知识 | 第20-24页 |
| 2.1 半导体能带理论 | 第20页 |
| 2.2 晶体缺陷和表面态对导电性能的影响 | 第20-21页 |
| 2.3 气体敏感机理概述 | 第21-23页 |
| 2.4 响应类型变化机理 | 第23-24页 |
| 第三章 氧化钨纳米线制备流程和分析方法 | 第24-34页 |
| 3.1 氧化钨纳米制备流程 | 第24-29页 |
| 3.1.1 衬底准备 | 第25-26页 |
| 3.1.2 金属W薄膜沉积 | 第26-27页 |
| 3.1.3 生长氧化钨纳米线 | 第27-28页 |
| 3.1.4 进一步氧化处理 | 第28-29页 |
| 3.1.5 传感器器件制备 | 第29页 |
| 3.2 氧化钨纳米线分析表征手段 | 第29-32页 |
| 3.2.1 微观形貌结构表征方法 | 第30-31页 |
| 3.2.2 结晶性分析方法 | 第31页 |
| 3.2.3 晶格排列分析方法 | 第31-32页 |
| 3.3 氧化钨纳米线气敏性能测试手段 | 第32-34页 |
| 第四章 氧化钨纳米气体传感器P-型响应特性 | 第34-46页 |
| 4.1 多种衬底氧化钨纳米线气体传感器的制备 | 第34-35页 |
| 4.1.1 硅基氧化钨纳米线传感器的制备 | 第34-35页 |
| 4.1.2 二氧化硅基氧化钨纳米线传感器制备 | 第35页 |
| 4.1.3 多孔硅基氧化钨纳米线制备 | 第35页 |
| 4.2 氧化钨纳米线的表征 | 第35-38页 |
| 4.2.1 .氧化钨纳米线表面形貌分析 | 第35-36页 |
| 4.2.2 XRD物相分析 | 第36-37页 |
| 4.2.3 氧化钨纳米线TEM分析 | 第37-38页 |
| 4.3 氧化钨纳米线的气敏性能结果和气敏机理分析 | 第38-43页 |
| 4.3.1 氧化钨纳米线气敏性能 | 第38-42页 |
| 4.3.2 气敏机理分析 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第五章 可控响应类型氧化钨纳米线制备方法及敏感机理研究 | 第46-62页 |
| 5.1 退火时间对氧化钨纳米线响应类型的影响 | 第46-50页 |
| 5.1.1 不同退火时间下氧化钨纳米线表征 | 第47-48页 |
| 5.1.2 不同退火时间下氧化钨气敏性能及结果分析 | 第48-50页 |
| 5.2 金属W镀膜时间对氧化钨纳米线响应类型的影响 | 第50-53页 |
| 5.2.1 金属W薄膜溅射时间对退火后纳米线影响 | 第50-52页 |
| 5.2.2 金属W薄膜溅射时间氧化钨气敏特性及结果分析 | 第52-53页 |
| 5.3 退火温度对氧化钨纳米线响应类型的影响 | 第53-58页 |
| 5.3.1 不同退火温度下氧化钨纳米线表征 | 第53-56页 |
| 5.3.2 不同退火温度下氧化钨气敏性能及结果分析 | 第56-58页 |
| 5.4 氧化钨P-型响应类型敏感机理 | 第58-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-66页 |
| 6.1 总结与讨论 | 第62-63页 |
| 6.2 工作展望 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
