| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-14页 |
| 第一节 集成电路光刻技术概述 | 第7-10页 |
| 第二节 光刻技术在集成电路中的作用 | 第10-11页 |
| 第三节 光刻工艺的重要参数 | 第11-12页 |
| 第四节 本文研究的主要内容和方向 | 第12-14页 |
| 第二章 0.13 μ m工艺平台黄光工艺介绍 | 第14-36页 |
| 第一节 光刻设备介绍 | 第14-21页 |
| 第二节 光刻工艺流程介绍 | 第21-32页 |
| 第三节 光刻工艺的评价标准 | 第32-35页 |
| 第四节 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 0.13 μ m显影工艺的优化 | 第36-54页 |
| 第一节 显影的化学组分和显影的微观过程 | 第36-38页 |
| 第二节 显影工艺的显影喷嘴(Dev Nozzle)的改善 | 第38-49页 |
| 第三节 工艺条件相关参数方面优化 | 第49-53页 |
| 第四节 小结 | 第53-54页 |
| 第四章 分辨率增强技术 | 第54-62页 |
| 第一节 PSM(phase shift mask)的应用 | 第54-56页 |
| 第二节 光学邻近修正 | 第56-58页 |
| 第三节 偏轴光源光刻 | 第58-59页 |
| 第四节 抗反射涂布 | 第59-61页 |
| 第五节 小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |