| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 MOSFET简介 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET漏/源电阻的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 MOSFET漏/源电阻的求解方法 | 第19-26页 |
| 2.1 数值计算法 | 第19-21页 |
| 2.2 解析计算法 | 第21-24页 |
| 2.3 半解析计算法 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于半解析法的浅结MOSFET漏/源电阻建模 | 第26-42页 |
| 3.1 浅结MOSFET漏/源电阻二维半解析模型 | 第26-27页 |
| 3.2 Ⅱ区半解析模型的建立 | 第27-33页 |
| 3.2.1 边值问题建立 | 第27-31页 |
| 3.2.2 求解Φ(ξ)的线性方程的建立 | 第31-32页 |
| 3.2.3 线性方程的求解 | 第32-33页 |
| 3.3 Ⅲ区半解析模型的建立 | 第33-39页 |
| 3.3.1 边值问题建立 | 第33-36页 |
| 3.3.2 求解破Φ_1(ξ),Φ_2(ξ)的线性方程组的建立 | 第36-37页 |
| 3.3.3 线性方程组的求解 | 第37-39页 |
| 3.4 求解MOSFET漏区电阻值 | 第39-41页 |
| 3.4.1 Ⅰ区集总电阻的求解 | 第39-40页 |
| 3.4.2 Ⅱ区电阻值的求解 | 第40页 |
| 3.4.3 Ⅲ区电阻值的求解 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 浅结MOSFET漏/源区二维电势分布和电阻的验证与分析 | 第42-57页 |
| 4.1 浅结MOSFET漏/源区二维电势分布的验证 | 第42-45页 |
| 4.1.1 Ⅱ区电势分布图对比 | 第42-44页 |
| 4.1.2 Ⅲ区电势分布图对比 | 第44-45页 |
| 4.2 ATLAS器件仿真流程简介 | 第45页 |
| 4.3 浅结MOSFET漏/源电阻的验证与分析 | 第45-52页 |
| 4.4 硅化物对浅结MOSFET漏/源电阻的影响 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第64页 |
| 参与的科研项目 | 第64页 |
