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高性能可测试性电路设计

摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第一章 引言第13-17页
    1.1 技术迅速发展所带来的挑战第13页
    1.2 可测试性设计的现状第13-17页
        1.2.1 可测试性设计的带来的优势第14-15页
        1.2.2 可测试性设计的分类和方法第15页
        1.2.3 数字逻辑电路的可测试性设计第15页
        1.2.4 存储器内建测试电路的设计第15-16页
        1.2.5 边界扫描电路的设计第16-17页
第二章 芯片级可测试性设计的架构规划第17-19页
    2.1 可测试性设计芯片的介绍第17页
    2.2 可测试性设计的目标定义第17页
    2.3 可测试性设计中的总体规划第17-19页
第三章 扫描链的设计第19-40页
    3.1 扫描链结构定义第19页
    3.2 扫描链的插入第19-24页
    3.3 扫描模式时序约束文件定义和静态时序分析第24-25页
    3.4 测试向量的产生和调试第25-29页
    3.5 扫描链插入完成后的形式验证第29页
    3.6 带有压缩结构的扫描链的设计第29-31页
    3.7 采用片内时钟对逻辑电路的在速测试第31-36页
    3.8 准备诊断环境第36-37页
    3.9 用测试结果数进行诊断分析第37-39页
    3.10 优化设计结构和版图第39页
    3.11 优化电路结构之后的网表发布第39-40页
第四章 存储器内建自测电路设计第40-52页
    4.1 存储器内建自测电路的结构第40-43页
    4.2 存储器的非全速自测试模型的开发第43-45页
    4.3 存储器的非全速自测试电路和测试向量的设计第45-46页
    4.4 存储器的全速自测试模型的开发第46-47页
    4.5 存储器的全速自测试电路和测试向量的设计第47-48页
    4.6 存储器自测电路的集成第48页
    4.7 存储器自测电路的测试向量转换第48-49页
    4.8 存储器自测电路的形式验证第49页
    4.9 存储器自测电路测试向量的验证和调试第49-50页
    4.10 存储器内建自测电路的时序约束和静态时序分析第50-51页
    4.11 存储器的在速测试第51-52页
第五章 边界扫描电路设计第52-61页
    5.1 边界扫描电路的结构第52-53页
    5.2 边界扫描电路的端口定义第53-54页
    5.3 边界扫描电路的设计第54-58页
    5.4 边界扫描电路测试向量的产生第58-59页
    5.5 边界扫描模式下的静态时序分析第59-60页
    5.6 边界扫描加入后的形式验证第60-61页
第六章 可测试性电路的仿真验证第61-67页
    6.1 扫描链的验证第61-64页
    6.2 存储器内建自测电路的仿真验证第64-66页
    6.3 边界扫描电路的仿真验证第66-67页
第七章 结束语第67-70页
    7.1 主要工作与创新点第67-68页
    7.2 后续研究工作第68-70页
参考文献第70-73页
致谢第73-74页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第74-77页
上海交通大学学位论文答辩决议书第77页

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