亚微米光刻质量的控制技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·集成电路的发展概述 | 第10-12页 |
| ·光刻技术的发展 | 第12-17页 |
| ·离轴照明 | 第13-14页 |
| ·移相掩膜技术 | 第14-16页 |
| ·光学邻近效应校正 | 第16-17页 |
| ·光阻的性质作用 | 第17页 |
| ·本论文研究的意义 | 第17-19页 |
| 第二章 光刻机的结构及光刻原理 | 第19-36页 |
| ·光刻系统介绍 | 第19-25页 |
| ·曝光系统介绍 | 第19页 |
| ·NSR 的结构 | 第19-25页 |
| ·光刻原理和成像条件 | 第25页 |
| ·光刻工艺流程 | 第25-36页 |
| ·晶圆的表面清洗 | 第26-27页 |
| ·气相沉积底膜 | 第27-28页 |
| ·光阻的旋转涂布 | 第28-30页 |
| ·前烘 | 第30-31页 |
| ·曝光 | 第31-33页 |
| ·后烘 | 第33页 |
| ·显影 | 第33-34页 |
| ·坚膜 | 第34页 |
| ·显影后检查 | 第34-36页 |
| 第三章 光刻中线宽的控制 | 第36-71页 |
| ·线宽变化的机理 | 第36-38页 |
| ·实验与分析 | 第38-71页 |
| ·曝光工艺窗口的影响因素和控制 | 第39-53页 |
| ·晶圆平面的平整度影响、检查和控制 | 第53-59页 |
| ·胶膜厚度对线宽的影响与控制 | 第59-61页 |
| ·表面反射和驻波效应对线宽的影响与控制 | 第61-64页 |
| ·显影对线宽的影响与控制 | 第64-68页 |
| ·掩膜版对线宽的影响与控制 | 第68-71页 |
| 第四章 对准的原理和控制 | 第71-83页 |
| ·NSR 对准系统原理 | 第71-76页 |
| ·激光步进对准 | 第72-73页 |
| ·激光干涉对准 | 第73-74页 |
| ·场像对准 | 第74-75页 |
| ·晶圆全局对准 | 第75-76页 |
| ·几种对准的适用条件 | 第76页 |
| ·常见的对准偏移及对准精度的测量 | 第76-78页 |
| ·对准偏移的原因及控制方法 | 第78-83页 |
| 第五章 光刻缺陷产生的原因和控制 | 第83-88页 |
| ·光刻工艺中成品率的影响 | 第83页 |
| ·缺陷的种类 | 第83-84页 |
| ·缺陷产生的原因和控制 | 第84-88页 |
| ·环境和胶中颗粒产生的缺陷和控制 | 第84页 |
| ·工艺设备和人员操作产生的机械划痕缺陷和控制 | 第84-85页 |
| ·涂胶产生的缺陷和控制 | 第85页 |
| ·显影产生的缺陷和控制 | 第85-86页 |
| ·版图质量产生的缺陷和控制 | 第86-87页 |
| ·工艺原料产生的缺陷和控制 | 第87-88页 |
| 第六章 结论 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第93-94页 |
