| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·选题背景和研究内容 | 第11页 |
| ·高效率放大器的发展现状 | 第11-14页 |
| ·开关类放大器的发展历程 | 第12-13页 |
| ·功率放大器的机遇和挑战 | 第13-14页 |
| 第二章 功率晶体管和介质基片的选型分析 | 第14-23页 |
| ·功率晶体管技术的发展 | 第14-19页 |
| ·硅基半导体有源器件——LDMOS | 第14-18页 |
| ·第三代半导体有源器件——（SiC/GaN）MESFETs/HEMTs | 第18-19页 |
| ·晶体管和介质基片的选型 | 第19-21页 |
| ·晶体管选型 | 第19-20页 |
| ·介质基片的选型 | 第20-21页 |
| ·功率放大器的设计指标 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 开关类功率放大器的结构分析和设计方法 | 第23-56页 |
| ·开关类功率放大器的分类和依据 | 第23-55页 |
| ·D 类功率放大器的结构分析和设计方法 | 第24-31页 |
| ·E/IE 类功率放大器的结构分析和设计方法 | 第31-43页 |
| ·F/IF 类功率放大器的结构分析和设计方法 | 第43-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 宽带F 类功率放大器的电路设计及仿真 | 第56-75页 |
| ·F 类功率放大器的寄生参数分析 | 第56-59页 |
| ·基于F 类放大器设计的晶体管应用特性分析 | 第59-61页 |
| ·直流特性 | 第59-60页 |
| ·宽带匹配特性 | 第60-61页 |
| ·宽带F 类功放的理想参数仿真 | 第61-64页 |
| ·宽带F 类功放的集总参数设计 | 第64-67页 |
| ·基频阻抗变换网络设计 | 第64-65页 |
| ·宽带谐波抑制网络设计 | 第65-67页 |
| ·宽带F 类功放的分布参数设计 | 第67-74页 |
| ·分布参数设计 | 第68-71页 |
| ·优化算法选择与电路调谐 | 第71-72页 |
| ·最终电路结构和仿真结果 | 第72-74页 |
| ·宽带F 类功放的基频匹配效果分析 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 软件仿真环境下宽带F 类功放的调试与调试策略分析 | 第75-94页 |
| ·软件仿真环境下的调试过程 | 第75-76页 |
| ·软件仿真环境下的调试策略 | 第76-89页 |
| ·稳定性分析 | 第76-78页 |
| ·效率的调试过程 | 第78-84页 |
| ·最佳调试频率点的选择和分区域调试 | 第84-89页 |
| ·软件仿真环境下调试过程的定量分析 | 第89-91页 |
| ·全频带效率调试的定量分析 | 第89页 |
| ·分区域效率调试的定量分析 | 第89-90页 |
| ·软件仿真环境下调试电容的初始值估计 | 第90-91页 |
| ·软件仿真环境下调试过程的定性分析 | 第91-93页 |
| ·效率和稳定性变化趋势的定性分析 | 第91-92页 |
| ·各次频点阻抗变化趋势的定性分析 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
| ·论文总结 | 第94页 |
| ·未来工作及展望 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第101-102页 |
| 附录I A 区1.25GHz 时的稳定性变化趋势 | 第102-104页 |
| 附录II C 区1.36GHz 时的稳定性变化趋势 | 第104-106页 |
| 附录III A 区1.25GHz 时的效率变化趋势 | 第106-107页 |
| 附录IV C 区1.36GHz 时的效率变化趋势 | 第107-108页 |
