应变Si载流子迁移率研究
| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·Si 基应变技术国内外研究状况 | 第13-19页 |
| ·应变理论的提出及发展 | 第13-14页 |
| ·Si 基应变材料的发展 | 第14-17页 |
| ·Si 基应变技术在器件中的应用 | 第17-18页 |
| ·国内 Si 基应变技术研究状况 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义和工作内容 | 第19-22页 |
| 第二章 应变 Si 能带结构及器件阈值电压模型 | 第22-48页 |
| ·应力引入方法 | 第22-31页 |
| ·全局应变 | 第22-24页 |
| ·工艺致应变 | 第24-28页 |
| ·后工艺致应变 | 第28页 |
| ·机械应变技术 | 第28-31页 |
| ·应变 Si 能带结构 | 第31-35页 |
| ·应变 Si 导带结构 | 第33-34页 |
| ·应变 Si 价带结构 | 第34页 |
| ·Si/ SiGe 能带结构 | 第34-35页 |
| ·应变 Si 器件阈值电压模型 | 第35-46页 |
| ·二维阈值电压模型 | 第36-40页 |
| ·物理参数与阈值电压的关系 | 第40-44页 |
| ·I-V 特性 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 应变 Si 载流子散射几率研究 | 第48-74页 |
| ·散射黄金费米法则 | 第48-52页 |
| ·应变 Si 载流子散射几率模型 | 第52-66页 |
| ·主要散射机制 | 第52-55页 |
| ·弹性散射几率模型 | 第55-61页 |
| ·非弹性散射几率模型 | 第61-66页 |
| ·应变 Si 电子散射几率 | 第66-69页 |
| ·应变 Si 空穴散射几率 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-74页 |
| 第四章 应变 Si 电子迁移率研究 | 第74-90页 |
| ·应变 Si 电子迁移率模型 | 第74-76页 |
| ·应变 Si 导带能谷能级 | 第76-80页 |
| ·导带电子占有率 | 第80-81页 |
| ·应变 Si 电子迁移率 | 第81-87页 |
| ·(001)晶面应变 Si 电子迁移率 | 第83-85页 |
| ·(110)晶面应变 Si 电子迁移率 | 第85-86页 |
| ·(111)晶面应变 Si 电子迁移率 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-90页 |
| 第五章 应变 Si 空穴迁移率研究 | 第90-104页 |
| ·应变 Si 空穴迁移率模型 | 第90-92页 |
| ·应变 Si 价带带边能级 | 第92-96页 |
| ·价带空穴占有率 | 第96页 |
| ·应变 Si 空穴迁移率 | 第96-102页 |
| ·(001)晶面应变 Si 空穴迁移率 | 第97-99页 |
| ·(110)晶面应变 Si 空穴迁移率 | 第99-100页 |
| ·(111)晶面应变 Si 空穴迁移率 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 结论 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-124页 |
| 攻读博士期间研究成果 | 第124-126页 |
