| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| ·SiC 功率器件的应用背景和前景 | 第13-15页 |
| ·SiC 的特性简介 | 第15-17页 |
| ·SiC 功率器件的主要进展 | 第17-27页 |
| ·功率整流器 | 第17-20页 |
| ·功率开关 | 第20-23页 |
| ·射频功率器件 | 第23-27页 |
| ·国内外 SiC 功率二极管的研究现状与存在的问题 | 第27-30页 |
| ·本文的主要工作 | 第30-33页 |
| 第二章 器件物理以及模型 | 第33-47页 |
| ·肖特基二极管的器件物理 | 第33-36页 |
| ·正向导通特性 | 第33-34页 |
| ·反向阻断特性 | 第34-36页 |
| ·PiN 二极管的器件物理 | 第36-40页 |
| ·正向导通特性 | 第36-38页 |
| ·反向阻断特性 | 第38-40页 |
| ·JBS 二极管的器件物理 | 第40-42页 |
| ·正向导通特性 | 第40-42页 |
| ·反向阻断特性 | 第42页 |
| ·反向恢复特性 | 第42-46页 |
| ·PiN 二极管的反向恢复特性 | 第43-45页 |
| ·JBS 二极管的反向恢复特性 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 4H-SiC SBD、JBS 二极管关键工艺的研究 | 第47-57页 |
| ·关键工艺介绍 | 第47-50页 |
| ·外延生长 | 第47-48页 |
| ·离子注入和激活退火 | 第48-49页 |
| ·欧姆接触 | 第49-50页 |
| ·关键工艺的实验和测试 | 第50-56页 |
| ·N-外延层的生长 | 第50-52页 |
| ·离子注入和激活退火 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 采用场限环的 4H-SiC 二极管研究 | 第57-71页 |
| ·场限环理论 | 第57-58页 |
| ·采用场限环的 4H-SiC 整流器件的仿真 | 第58-65页 |
| ·仿真模型与参数 | 第58-61页 |
| ·仿真结果及分析 | 第61-65页 |
| ·采用场限环的 4H-SiC 整流器件的实验 | 第65-69页 |
| ·实验流程 | 第65-67页 |
| ·测试结果及分析 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 采用偏移场板的 4H-SiC 二极管的研究 | 第71-87页 |
| ·偏移场板理论 | 第71-72页 |
| ·采用偏移场板的 4H-SiC 二极管的仿真 | 第72-76页 |
| ·仿真结构与参数 | 第72-73页 |
| ·仿真结果及分析 | 第73-76页 |
| ·采用偏移场板的 4H-SiC 二极管的工艺和实验 | 第76-78页 |
| ·实验结果及分析 | 第78-85页 |
| ·变温直流 I-V 特性测试 | 第78-82页 |
| ·变温反向恢复特性测试 | 第82-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 4H-SiC SBD 二极管的边界终端研究 | 第87-99页 |
| ·采用浮金属场环的 SBD 实验以及测试 | 第87-92页 |
| ·工艺设计 | 第88-89页 |
| ·测试结果及分析 | 第89-92页 |
| ·采用结终端扩展的 SBD 仿真和实验 | 第92-98页 |
| ·JTE 终端的 SBD 仿真 | 第92-95页 |
| ·实验及测试结果分析 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第七章 总结 | 第99-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第119-122页 |
