| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 化学机械抛光(CMP)简介 | 第10-12页 |
| 1.3 CMP及电化学分析的理论指导 | 第12-14页 |
| 1.3.1 CMP分析的理论指导 | 第12-14页 |
| 1.3.2 电化学分析的理论指导 | 第14页 |
| 1.4 阻挡层Ta的发展 | 第14-17页 |
| 1.4.1 Cu/Ta的界面腐蚀产生原理 | 第15-16页 |
| 1.4.2 Cu/Ta电偶腐蚀研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本研究的目的及内容 | 第17-19页 |
| 第二章 电化学及CMP实验简介 | 第19-31页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第19-23页 |
| 2.1.1 电化学工作站 | 第19-20页 |
| 2.1.2 CMP设备 | 第20-21页 |
| 2.1.3 实验耗材 | 第21-23页 |
| 2.1.3.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.1.3.2 抛光液成分 | 第21-23页 |
| 2.2 实验过程及原理 | 第23-26页 |
| 2.2.1 电化学实验及原理 | 第23-25页 |
| 2.2.2 CMP实验 | 第25页 |
| 2.2.3 静态腐蚀实验及原理 | 第25-26页 |
| 2.3 检测设备及原理 | 第26-31页 |
| 2.3.1 分析天平 | 第26页 |
| 2.3.2 AFM | 第26-28页 |
| 2.3.3 台阶仪 | 第28页 |
| 2.3.4 接触角测量仪 | 第28-31页 |
| 第三章 抛光液成分及pH对铜钽电化学作用的基础研究 | 第31-37页 |
| 3.1 实验介绍 | 第31-32页 |
| 3.2 抛光液成分对铜钽CMP的影响 | 第32页 |
| 3.3 pH对铜钽电化学性能的影响 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 多羟多胺螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第37-55页 |
| 4.1 FA/OⅠ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第37-43页 |
| 4.1.1 静态条件下FA/OⅠ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第37-40页 |
| 4.1.2 动态条件下FA/OⅠ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第40-43页 |
| 4.2 FA/OⅡ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第43-52页 |
| 4.2.1 静态条件下FA/OⅡ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第43-48页 |
| 4.2.2 动态条件下FA/OⅡ型螯合剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第48-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-55页 |
| 第五章 非离子表面活性剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第55-63页 |
| 5.1 静态条件下非离子表面活性剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第55-58页 |
| 5.2 动态条件下非离子表面活性剂抑制Cu/Ta界面腐蚀的研究 | 第58-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
