| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 ESD保护的发展动态 | 第10-12页 |
| 1.2 论文研究背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 ESD保护的基本原理和闩锁效应 | 第15-35页 |
| 2.1 ESD保护原理 | 第15-16页 |
| 2.2 ESD基本保护器件 | 第16-22页 |
| 2.2.1 二极管 | 第17页 |
| 2.2.2 BJT | 第17-19页 |
| 2.2.3 MOSFET | 第19-20页 |
| 2.2.4 SCR | 第20-22页 |
| 2.3 CMOS闩锁效应 | 第22-30页 |
| 2.3.1 闩锁效应的原理 | 第22-24页 |
| 2.3.2 影响闩锁效应的因素 | 第24-25页 |
| 2.3.3 CMOS闩锁效应与ESD的关系 | 第25-30页 |
| 2.3.3.1 HBM ESD事件 | 第26-27页 |
| 2.3.3.2 MM ESD事件 | 第27-29页 |
| 2.3.3.3 CDE ESD事件 | 第29-30页 |
| 2.4 高压ESD器件闩锁问题 | 第30-34页 |
| 2.4.1 高维持电压SCR-LMDOS ESD器件 | 第30-33页 |
| 2.4.1.1 源端注入技术 | 第30-32页 |
| 2.4.1.2 减小发射极面积 | 第32-33页 |
| 2.4.2 堆叠SCR结构 | 第33-34页 |
| 2.4.2.1 堆叠STSCR | 第33页 |
| 2.4.2.2 堆叠 LVTSCR | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 自触发STSCR-LDMOS堆叠结构的ESD特性分析 | 第35-54页 |
| 3.1 高压ESD器件STSCR-LDMOS的工作原理 | 第35-36页 |
| 3.1.1 器件结构 | 第35-36页 |
| 3.1.2 工作原理的分析 | 第36页 |
| 3.2 自触发STSCR-LDMOS堆叠结构的工作原理 | 第36-38页 |
| 3.2.1 自触发STSCR-LDMOS堆叠结构 | 第36-37页 |
| 3.2.2 自触发 STSCR-LDMOS 堆叠结构工作原理的分析 | 第37-38页 |
| 3.3 仿真方法及参数 | 第38-40页 |
| 3.3.1 仿真方法 | 第38-39页 |
| 3.3.2 仿真参数 | 第39-40页 |
| 3.4 自触发STSCR-LDMOS堆叠结构的仿真分析 | 第40-52页 |
| 3.4.1 新堆叠结构与传统SCR-LDMOS堆叠结构的对比 | 第40-42页 |
| 3.4.2 触发电阻对触发电压的影响 | 第42-45页 |
| 3.4.3 触发电阻对维持电压的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.4 P-body内电阻RP2对堆叠结构ESD特性的影响 | 第47-49页 |
| 3.4.5 P-body 内电阻 RP0对堆叠结构 ESD 特性的影响 | 第49-52页 |
| 3.5 自触发STSCR-LDMOS堆叠结构的优化 | 第52-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的ESD特性分析 | 第54-63页 |
| 4.1 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的工作原理 | 第54-56页 |
| 4.1.1 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠的结构 | 第54-55页 |
| 4.1.2 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的工作原理 | 第55-56页 |
| 4.2 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的仿真分析 | 第56-62页 |
| 4.2.1 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的ESD特性 | 第56-58页 |
| 4.2.2 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的触发电压分析 | 第58-60页 |
| 4.2.3 LDMOS触发STSCR-LDMOS堆叠结构的触发电压分析 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 不足与展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
