中文摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第10-32页 |
1.1 选题背景及意义 | 第10-13页 |
1.2 气敏传感器概述 | 第13-20页 |
1.2.1 气敏传感器的定义与分类 | 第13-16页 |
1.2.2 气敏传感器主要特性参数与表征 | 第16-18页 |
1.2.3 金属氧化物纳米结构气敏传感器的气敏机理 | 第18-20页 |
1.3 金属氧化物二氧化碲纳米线气敏传感器 | 第20-25页 |
1.3.1 金属氧化物二氧化碲简介 | 第20-22页 |
1.3.2 二氧化碲纳米线气敏传感器研究与发展概况 | 第22-25页 |
1.4 金属氧化物三氧化钨纳米棒气敏传感器 | 第25-28页 |
1.4.1 金属氧化物三氧化钨简介 | 第25-26页 |
1.4.2 三氧化钨纳米结构气敏传感器研究与发展概况 | 第26-28页 |
1.5 硅基多孔硅气敏传感器 | 第28-30页 |
1.5.1 多孔硅简介 | 第28页 |
1.5.2 硅基多孔硅气敏传感器研究与发展概况 | 第28-30页 |
1.6 硅基多孔硅复合材料研究现状 | 第30页 |
1.7 本论文主要工作与章节安排 | 第30-32页 |
第二章 实验设备及测试方法 | 第32-40页 |
2.1 实验设备介绍 | 第32-33页 |
2.2 材料表征 | 第33-35页 |
2.2.1 场发射扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
2.2.2 透射电子显微镜 | 第34页 |
2.2.3 X 射线衍射仪 | 第34-35页 |
2.3 气敏传感器构造 | 第35-37页 |
2.4 气敏测试系统 | 第37-38页 |
2.5 气敏性能测试方法 | 第38-40页 |
第三章 多孔硅基 TeO_2纳米线复合结构气敏传感器的制备与性能研究 | 第40-61页 |
3.1 多孔硅基 TeO_2纳米线气敏传感器的制备与性能研究 | 第41-56页 |
3.1.1 实验原料 | 第41页 |
3.1.2 多孔硅基 TeO_2纳米线复合结构传感器的制备与实验流程 | 第41-43页 |
3.1.3 实验结果分析 | 第43-56页 |
3.2 多孔硅基 TeO_2纳米针气敏传感器的制备与性能研究 | 第56-58页 |
3.2.1 实验结果分析 | 第56-57页 |
3.2.2 多孔硅基 TeO_2纳米针复合结构气敏传感器气敏性能分析 | 第57-58页 |
3.3 本章小结 | 第58-61页 |
第四章 WO_3纳米棒传感器的制备与气敏性能的研究 | 第61-82页 |
4.1 工作温度对 WO_3纳米棒气敏性能的影响 | 第61-71页 |
4.1.1 实验原料 | 第62页 |
4.1.2 WO_3纳米棒传感器的制备与实验流程 | 第62-64页 |
4.1.3 实验结果分析 | 第64-71页 |
4.2 热处理效应对六方 WO_3纳米棒室温下气敏性能的影响 | 第71-80页 |
4.2.1 WO_3纳米棒传感器的制备与实验流程 | 第72页 |
4.2.2 实验结果分析 | 第72-80页 |
4.3 本章小结 | 第80-82页 |
第五章 多孔硅基 WO_3纳米棒复合结构气敏传感器的制备与气敏性能研究 | 第82-98页 |
5.1 方案一 | 第82-83页 |
5.2 方案二 | 第83-88页 |
5.2.1 实验原料 | 第83页 |
5.2.2 多孔硅基 WO_3纳米棒复合结构气敏元件实验制备流程 | 第83-85页 |
5.2.3 水热反应时间对多孔硅基 WO_3纳米棒表面形貌的影响 | 第85-86页 |
5.2.4 PS/WO_3纳米棒表面形貌对复合结构气敏传感器气敏性能的影响 | 第86-88页 |
5.3 方案三 | 第88-96页 |
5.3.1 实验原料 | 第89页 |
5.3.2 多孔硅基 WO_3纳米棒气敏传感器的制备 | 第89-91页 |
5.3.3 水热反应时间对多孔硅基 WO_3纳米棒表面形貌的影响 | 第91页 |
5.3.4 水热反应温度对多孔硅基 WO_3纳米棒表面形貌的影响 | 第91-92页 |
5.3.5 NaCl 的量对多孔硅基 WO_3纳米棒表面形貌的影响 | 第92-93页 |
5.3.6 种子液浓度对多孔硅基 WO_3纳米棒表面形貌的影响 | 第93-94页 |
5.3.7 XRD 分析 | 第94-95页 |
5.3.8 PS/WO_3纳米棒表面形貌对复合结构气敏传感器气敏性能的影响 | 第95-96页 |
5.4 本章小结 | 第96-98页 |
第六章 结论与展望 | 第98-101页 |
6.1 本文结论 | 第98-100页 |
6.2 工作展望 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-115页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第115-116页 |
致谢 | 第116页 |