考虑温度的纳米级互连线延迟和功耗研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·互连线问题的研究背景 | 第8-9页 |
| ·纳米级芯片的互连线延时 | 第9-10页 |
| ·亚微米集成电路互连线的温度和功耗分布 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作和组织结构 | 第11-12页 |
| 第二章 纳米级互连线延时模型和延时估算 | 第12-24页 |
| ·纳米级互连线参数模型 | 第12-16页 |
| ·互连线原参数 | 第12-13页 |
| ·互连线电阻 | 第13-14页 |
| ·互连线电容 | 第14-15页 |
| ·互连线电感 | 第15页 |
| ·互连线电导 | 第15-16页 |
| ·互连线结构模型 | 第16-18页 |
| ·互连结构的集总式模型 | 第16-17页 |
| ·互连线的分布式模型 | 第17页 |
| ·互连线的串扰模型 | 第17-18页 |
| ·互连线延时估算 | 第18-23页 |
| ·互连线延时定义 | 第18页 |
| ·基于矩阵匹配和padé近似的延时估算 | 第18-21页 |
| ·基于传输线模型的延时估算计算 | 第21-22页 |
| ·延时求解的其他方法 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 互连线延时优化技术 | 第24-32页 |
| ·与工艺相关的工艺互连线优化 | 第24-28页 |
| ·采用铜作为互连材料 | 第24-25页 |
| ·光互连 | 第25-26页 |
| ·多晶硅互连线硅化技术 | 第26页 |
| ·互连绝缘介质采用低K 介质 | 第26-28页 |
| ·设计方法学优化 | 第28-31页 |
| ·电流传输模式 | 第28页 |
| ·低电压摆幅 | 第28-30页 |
| ·曼哈顿方式布线 | 第30页 |
| ·互连线宽度渐变技术 | 第30-31页 |
| ·中继器插入延时优化 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 纳米级集成电路中功耗与温度分布 | 第32-46页 |
| ·集成电路芯片中的功耗 | 第32-34页 |
| ·集成电路中片上温度温分布 | 第34-38页 |
| ·片上的平均温度 | 第34-36页 |
| ·互连线的温度分布的解析模型 | 第36-37页 |
| ·芯片中温度对互连可靠性的影响 | 第37-38页 |
| ·温度对于芯片性能的影响 | 第38页 |
| ·考虑热量和功耗的缓冲器插入优化 | 第38-45页 |
| ·插入缓冲器的互连延时模型 | 第38-39页 |
| ·插入缓冲器功耗 | 第39-40页 |
| ·插入缓冲器的稳态温度模型 | 第40-42页 |
| ·功耗，延时与最佳插入长度与缓冲器尺寸最优化 | 第42-43页 |
| ·模型验证 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 纳米级互连线的动态功耗估算 | 第46-54页 |
| ·传统互连线的功耗估算模型 | 第46-47页 |
| ·RLCπ型等效模型和斜阶跃激励 | 第47-49页 |
| ·RLCπ型等效模型 | 第47-48页 |
| ·斜阶跃激励信号 | 第48-49页 |
| ·斜阶跃激励下RLC π型等效模型焦耳热功耗 | 第49-51页 |
| ·模型验证与讨论 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 考虑温度的互连线延时和功耗 | 第54-64页 |
| ·考虑温度的互连线动态功耗延时估算 | 第54-55页 |
| ·集总式RC 树形结构的功耗模型 | 第55-58页 |
| ·考虑非均匀温度分布的分布式互连线延时和功耗模型 | 第58-59页 |
| ·互连线的指数温度分布 | 第59-60页 |
| ·验证结果与讨论 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第七章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 研究成果 | 第72-73页 |
