| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第11-12页 |
| 1.2 智能功率集成电路 | 第12-17页 |
| 1.3 功率半导体器件 | 第17-25页 |
| 1.4 平面结边缘终端技术和优化横向变掺杂理论 | 第25-32页 |
| 1.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第33-35页 |
| 第二章 优化横向变掺杂智能功率集成技术 | 第35-59页 |
| 2.1 优化横向变掺杂理论的应用 | 第35-51页 |
| 2.1.1 结边缘应用 | 第35-40页 |
| 2.1.2 器件应用 | 第40-46页 |
| 2.1.3 智能功率集成电路应用 | 第46-51页 |
| 2.2 实现工艺简介 | 第51-57页 |
| 2.3 发展前景 | 第57-58页 |
| 2.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 一种可用于高侧的新型优化横向变掺杂 P-LDMOS | 第59-79页 |
| 3.1 高侧功率器件使用 P-LDMOS 的优点 | 第59-66页 |
| 3.2 新型双通道导电的 P-LDMOS | 第66-77页 |
| 3.2.1 结构原理 | 第66-67页 |
| 3.2.2 自定义参数仿真 | 第67-71页 |
| 3.2.3 工艺仿真 | 第71-74页 |
| 3.2.4 应用于高侧的讨论 | 第74-77页 |
| 3.3 发展前景 | 第77-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 一种新型的优化横向变掺杂低侧功率器件 | 第79-92页 |
| 4.1 结构原理 | 第80-82页 |
| 4.2 仿真结果 | 第82-86页 |
| 4.3 版图设计 | 第86-89页 |
| 4.4 实验结果 | 第89-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 一种提高优化横向变掺杂产品之成品率的手段 | 第92-101页 |
| 5.1 结构原理与仿真结果 | 第93-96页 |
| 5.2 设计方法 | 第96-98页 |
| 5.3 实验结果 | 第98-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 一种基于优化横向变掺杂理论的新型结边缘终端技术 | 第101-112页 |
| 6.1 结构原理 | 第102-104页 |
| 6.2 仿真结果和应用方法 | 第104-111页 |
| 6.3 本章小结 | 第111-112页 |
| 第七章 全文总结 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第122-123页 |