| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体材料 | 第13-17页 |
| 1.2.1 硅 | 第13-14页 |
| 1.2.2 锗 | 第14-15页 |
| 1.2.3 硅锗 | 第15-16页 |
| 1.2.4 锗锡 | 第16-17页 |
| 1.3 石墨烯 | 第17-20页 |
| 1.3.1 石墨烯简介 | 第17-19页 |
| 1.3.2 石墨烯的原子不透过性 | 第19页 |
| 1.3.3 缺陷石墨烯 | 第19-20页 |
| 1.3.4 石墨烯的制备 | 第20页 |
| 1.4 金属半导体接触材料简介 | 第20-23页 |
| 1.5 本论文内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 样品的制备和测试表征方法 | 第25-40页 |
| 2.1 实验所用仪器设备简介 | 第25-29页 |
| 2.1.1 化学气相沉积系统（CVD） | 第25-26页 |
| 2.1.2 离子注入机 | 第26页 |
| 2.1.3 电子束蒸发系统 | 第26-28页 |
| 2.1.4 快速退火炉 | 第28-29页 |
| 2.2 样品的测试方法及原理 | 第29-39页 |
| 2.2.1 方块电阻测试 | 第29-31页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第31-33页 |
| 2.2.3 Raman光谱测试 | 第33-35页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第35-37页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.2.6 二次质谱仪 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 缺陷石墨烯调制NiGe/Ge薄膜界面反应表征 | 第40-57页 |
| 3.1 材料的制备方法 | 第40-41页 |
| 3.2 Ge上石墨烯性质的表征 | 第41-42页 |
| 3.3 离子注入深度模拟 | 第42-43页 |
| 3.4 石墨烯对NiGe反应的影响 | 第43-46页 |
| 3.5 不同B~+注入剂量对NiGe反应系统的影响 | 第46-51页 |
| 3.5.1 方块电阻 | 第46-47页 |
| 3.5.2 SEM测试 | 第47-49页 |
| 3.5.3 AFM测试 | 第49-51页 |
| 3.6 缺陷石墨烯对NiGe/Ge界面影响分析 | 第51-54页 |
| 3.6.1 TEM测试 | 第52-53页 |
| 3.6.2 元素分析测试 | 第53-54页 |
| 3.7 调控机理分析 | 第54-56页 |
| 3.8 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 金属插入层调制NiGeSn/GeSn薄膜界面反应 | 第57-67页 |
| 4.1 GeSn材料表征 | 第57-58页 |
| 4.2 NiGeSn热稳定性测试 | 第58-61页 |
| 4.2.1 表层电阻测试 | 第58-59页 |
| 4.2.2 AFM表征 | 第59-60页 |
| 4.2.3 TEM测试 | 第60-61页 |
| 4.3 金属插入层调控Ni/GeSn反应影响 | 第61-66页 |
| 4.3.1 光镜测试图 | 第62页 |
| 4.3.2 AFM测试图 | 第62-63页 |
| 4.3.3 XPS测试分析 | 第63-64页 |
| 4.3.4 TEM分析 | 第64-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
