| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 半导体材料 | 第9-12页 |
| 1.2 PVT法制备块状SiC半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.3 热电效应以及表征热电性能的参数 | 第14-19页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.5 本文研究内容与目的 | 第21-24页 |
| 2 PVT方法生长大块体SiC的数值计算方法 | 第24-32页 |
| 2.1 模型假设与简化 | 第24页 |
| 2.2 控制方程与边界条件 | 第24-27页 |
| 2.3 本文采用的化学反应模型 | 第27-29页 |
| 2.4 数值模拟计算方法 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 PVT法生长大块状SiC生长腔内的研究与优化 | 第32-45页 |
| 3.1 生长腔内的几何模型 | 第32-33页 |
| 3.2 温度梯度对于晶体生长速度的影响 | 第33-37页 |
| 3.3 压力对于晶体生长速度的影响 | 第37-40页 |
| 3.4 晶体生长温度对于生长速度的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 生长腔内结构的优化设计 | 第41-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 S含量对Bi_2Te_3-xSx热电性能影响的实验研究 | 第45-53页 |
| 4.1 实验原料 | 第46页 |
| 4.2 实验方法与试验流程 | 第46-48页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-56页 |
| 5.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 5.2 工作展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |