无源植入式电子器件射频前端研究与设计
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 植入式电子器件的研究意义与应用 | 第10页 |
| 1.2 植入式电子器件的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 目前植入式器件所存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.4 本文拟解决的问题与方法 | 第14-15页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第15-18页 |
| 第2章 无源植入式器件的工作原理与物理基础 | 第18-26页 |
| 2.1 植入式器件原理与结构 | 第18-19页 |
| 2.2 电磁理论基础 | 第19-20页 |
| 2.3 双端口网络 | 第20-21页 |
| 2.4 点状发射源与生物组织模型 | 第21-22页 |
| 2.5 求解能量传递最优频率 | 第22-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 无源植入式器件芯片系统架构与关键技术分析 | 第26-34页 |
| 3.1 射频前端结构 | 第26-27页 |
| 3.2 接收天线选择与设计 | 第27-30页 |
| 3.3 阻抗匹配 | 第30-33页 |
| 3.4 设计流程 | 第33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 无源植入式器件芯片射频前端电路设计 | 第34-66页 |
| 4.1 倍压整流电路 | 第34-49页 |
| 4.1.1 整流电路基本工作原理 | 第35-40页 |
| 4.1.2 多级整流电路工作原理 | 第40-41页 |
| 4.1.3 二极管对整流电路效率造成的影响 | 第41-42页 |
| 4.1.4 效率分析 | 第42-43页 |
| 4.1.5 改进型MOS二极管 | 第43-46页 |
| 4.1.6 新结构仿真结果 | 第46-49页 |
| 4.2 预降压电路 | 第49-51页 |
| 4.2.1 预降压电路原理 | 第49-50页 |
| 4.2.2 预降压电路仿真结果 | 第50-51页 |
| 4.3 解调电路 | 第51-56页 |
| 4.4 反向调制电路 | 第56页 |
| 4.5 过压保护电路 | 第56-57页 |
| 4.6 电源管理电路 | 第57-60页 |
| 4.7 上电复位电路 | 第60-62页 |
| 4.8 时钟产生电路 | 第62-64页 |
| 4.9 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 芯片射频前端版图设计和流片测试验证 | 第66-76页 |
| 5.1 版图中的非理想效应 | 第66-67页 |
| 5.2 版图绘制原则 | 第67-68页 |
| 5.2.1 合理布局 | 第67页 |
| 5.2.2 合理布线 | 第67-68页 |
| 5.3 版图设计 | 第68-70页 |
| 5.4 芯片测试 | 第70-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
